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公开(公告)号：CN107887264A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710661042.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/225 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。
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公开(公告)号：CN109841619B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201810920097.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍的第一侧壁和第二鳍的第二侧壁。绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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公开(公告)号：CN110875394A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910757389.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置的形成方法。本公开涉及四层光致抗蚀剂与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成半导体鳍状物；沉积目标层于半导体鳍状物上；沉积底部抗反射涂层于目标层上；沉积第一掩模层于底部抗反射涂层上，其中第一掩模层的沉积方法采用的等离子体源具有低于50瓦的射频功率；沉积第二掩模层于第一掩模层上，其中第二掩模层的沉积方法采用的等离子体源具有低于500瓦的射频功率；沉积光致抗蚀剂层于第二掩模层上；图案化光致抗蚀剂层、第二掩模层、第一掩模层、与底部抗反射涂层以形成第一掩模；以及采用第一掩模，自半导体鳍状物的第一部分选择性地移除目标层，且目标层保留于半导体鳍状物的第二部分上。
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公开(公告)号：CN107887264B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201710661042.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/225 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。
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公开(公告)号：CN109841619A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810920097.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍的第一侧壁和第二鳍的第二侧壁。绝缘衬垫包括带隙大于5eV的材料。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
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