公开(公告)号：CN106952808A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611191618.6

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜于婷 ,  陈盈和

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823431 ,  H01L22/26 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种平坦化方法，包括至少两个步骤。一个步骤是将至少一种杂质植入到晶圆中以在晶圆中形成研磨停止层。另一步骤是研磨晶圆的顶表面，直至到达研磨停止层。

公开(公告)号：CN112242317A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010401404.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯德谦 ,  颜于婷 ,  郭政雨 ,  陈志宏 ,  洪伟伦 ,  陈科维

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例涉及一种化学机械平坦化系统，包括一电容去离子模块，以从一溶液中移除离子。本公开实施例亦公开了使用前述化学机械平坦化系统的方法。在一实施例中，一种平坦化设备包括一平坦化单元，用以平坦化一晶圆；一清洁单元，用以清洁前述晶圆；一晶圆输送单元，用以在平坦化单元和清洁单元之间输送晶圆；以及一电容去离子模块，用以移除一溶液中的离子，所述溶液是在平坦化单元或清洁单元的至少一者中使用。

公开(公告)号：CN221926735U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202420356517.3

申请日：2024-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  黄友怡 ,  尤志豪 ,  颜于婷 ,  戴世芃

IPC: G02B6/42

Abstract: 本实用新型提供光学装置包含:凹面基底，凹面基底包含:支撑材料；第一遮罩材料，不同于支撑材料；及凹面，形成于支撑材料中；接合层，接合至第一遮罩材料；电子集成电路装置，相邻于接合层；以及光学中介层，接合至电子集成电路装置。