公开(公告)号：CN1618569A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410059424.1

申请日：2004-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪伟伦 ,  庄佳哲 ,  钟基伟 ,  邱文智 ,  陈盈和 ,  章勋明

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明揭示一种氧化物研磨制程，是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后，一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用，以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force)，能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法，具有相同的产出，并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。

公开(公告)号：CN100515671C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200410059424.1

申请日：2004-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪伟伦 ,  庄佳哲 ,  钟基伟 ,  邱文智 ,  陈盈和 ,  章勋明

IPC: B24B1/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明揭示一种氧化物研磨制程，是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后，一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用，以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force)，能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法，具有相同的产出，并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。