公开(公告)号：CN100546181C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200510006848.6

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  阿部和秀 ,  吉田弘 ,  鹤见博史

IPC: H03H9/54 ,  H03H9/46 ,  H03H11/04

CPC classification number: H03J3/08 ,  H03H9/542 ,  H03H9/605 ,  H03H2210/012 ,  H03H2210/015 ,  H03J1/0008

Abstract: 可调滤波器具有均在公共基底上形成的多个可变电容器和多个电感元件，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的滤波电路，通过使用至少一部分多个可变电容器和一部分多个电感元件形成的监视电路，检测电路用于检测监视电路的指定电路常数，存储器用于存储涉及监视电路的参考电路常数的信息，以及电容控制电路基于检测电路检测的结果以及存储器存储的信息控制监视电路中可变电容器的电容和滤波电路中可变电容器的电容。

公开(公告)号：CN1599235A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410079000.1

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  阿部和秀 ,  森塚真由美

IPC: H03B5/12

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03B5/326 ,  H03B5/366 ,  H03H9/0542 ,  H03H2009/02204 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供包括薄膜BAW谐振器56和可变电容器元件30的压控振荡器。薄膜BAW谐振器56包含在Si衬底21上形成的固定部分22，在固定部分22上支持并且被布置成面对Si衬底21的下部电极24，在下部电极24上形成的第一压电薄膜25，和在第一压电薄膜25上形成的上部电极26。另一方面，可变电容器元件30包含在Si衬底31上形成的固定电极42，在Si衬底31上形成的固定部分38，在固定部分38上支持并且被布置成面对Si衬底31的第一电极33，在第一电极33上形成的第二压电薄膜34，和在第二压电薄膜34上形成的第二电极35。

公开(公告)号：CN1449110A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108387.0

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  阿部和秀 ,  鹤见博史 ,  吉田弘 ,  藤本竜一

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H9/0095 ,  H03H9/545 ,  H03H9/562 ,  H03H9/564 ,  H03H9/566 ,  H03H9/581 ,  H03H9/585 ,  H03H9/60 ,  H03H2009/02196

Abstract: 提供一种电压控制振荡器，其使用薄膜压电共振子，该薄膜压电共振子使用极化方向统一到膜厚方向的厚10μm以下的单晶强介电体作为压电体。通过使加到该电极的电压，可具有0.01％/V以上的大的振荡频率变化率，相位静噪非常小。这样，可提供具有宽的频率可变范围、频率稳定性高、相位静噪优良、经时变化少、超小型并且可产生多个频率的电压控制振荡器。

公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN100492692C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510008265.7

申请日：2005-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  小野富男 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦 ,  安本恭章 ,  阿部和秀 ,  佐野贤也

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01G7/06 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094

Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。

公开(公告)号：CN1655373A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008265.7

申请日：2005-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  尾原亮一 ,  小野富男 ,  长野利彦 ,  西垣亨彦 ,  安本恭章 ,  阿部和秀 ,  佐野贤也

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01G7/06 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0933 ,  H01L41/094

Abstract: 本发明公开一种薄膜压电致动器，包括一个驱动部分，至少其一端被一个锚部件支撑，所述驱动部分包括：压电薄膜；在所述压电薄膜的第一区域下面设置的第一下电极；在所述压电薄膜的不同于第一区域的第二区域下面设置的第二下电极；在所述压电薄膜上与所述第一下电极相对设置的第一上电极；在所述压电薄膜上与所述第二下电极相对设置的第二上电极；通过在所述压电薄膜上形成的第一通孔电连接所述第一下电极和所述第二上电极的第一连接部件；以及通过在所述压电薄膜上形成的第二通孔电连接所述第二下电极和所述第一上电极的第二连接部件。

公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN101112000B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200680003626.1

申请日：2006-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川久保隆 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦

IPC: H04B1/38 ,  H04L27/227

CPC classification number: H04L27/2272 ,  H03C3/0966 ,  H03D3/242 ,  H04B1/38 ,  H04L27/2273 ,  H04L2027/0016 ,  H04L2027/0022 ,  H04L2027/0055 ,  H04W56/00 ,  H04W88/02 ,  Y02D70/1222 ,  Y02D70/40

Abstract: 接收器具有：第一电压控制振荡器，其被配置为产生第一振荡信号；第二电压控制振荡器，其被配置为产生具有第一相位的第二振荡信号；第一相位比较器，其被配置为检测第一与第二振荡信号之间的相位差；解调器，其被配置为进行被接收信号的解调处理，并产生包含在第一振荡信号中的第二相位的定时信息；第二相位比较器，其被配置为检测第一与第二振荡信号之间的相位差；第一控制电压发生器，其被配置为基于由第二相位比较器检测得到的相位差产生用于控制第二电压控制振荡器的相位与频率的第一控制电压。

公开(公告)号：CN1652458A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC: H03H9/15

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。

公开(公告)号：CN101308898B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810099493.3

申请日：2008-05-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高须熏 ,  野村裕子 ,  日置毅 ,  雨宫功 ,  阿部和秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/46 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能容易地制造在基板上搭载发光芯片、在其外侧配置有含荧光体的透明树脂的发光装置的方法。该发光装置制造方法包括：搭载步骤，将发光芯片(3)搭载在基板(20)上；圆顶形成步骤，利用液滴排出装置使液滴向上排出，从而在基板(20)上形成充满发光芯片(3)外侧并覆盖成圆顶状的透明树脂部(4)以及含有荧光体并形成在透明树脂部(4)外侧的荧光体层(5)；反射层形成步骤，在圆顶状的透明树脂部(4)和荧光体层(5)外侧，在与基板接触的位置附近形成反射层(6)。圆顶形成步骤也可包括在排出的透明树脂固化之前使透明树脂中的荧光体沉降到圆顶表面附近的沉降步骤。