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公开(公告)号：CN1602586A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02824737.X
申请日：2002-12-06
Applicant: 埃普科斯股份有限公司
Inventor： R·施特默
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/175 , H03H9/02149 , H03H9/585 , H03H9/589
Abstract: 对于BAW谐振器或栈式晶体滤波器建议一种声反射器，其具有至少一个由 λ/4层或3λ/4层形成的层对，其中每个层对包含具有较低声阻抗的第一层和具有与此相对较高声阻抗的第二层，其中选择低k介质材料作为较低声阻抗的材料。
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公开(公告)号：CN1130790C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN99106965.X
申请日：1999-06-02
Applicant: 诺基亚流动电话有限公司
CPC classification number: H03H9/585 , H01H1/20 , H01H59/0009 , H01H2001/0057 , H01P1/127 , H03H9/172 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/545 , H03H9/587 , H03H9/60
Abstract: 无线电通讯装置的谐振器结构。将至少一个谐振器元件和至少一个开关元件在同一处理过程期间集成在同一基片中。这在采用桥式BAW谐振器和微型机械开关的时候是特别有利的。将开关结构和谐振器集成在同一基片上，能够制造出非常紧凑、为多系统移动通讯装置所需的滤波器和谐振器结构。另一方面，利用BAW谐振器的特殊性能，即BAW谐振器可以集成在基片，比如硅和砷化镓的表面上。这些开关可以用MESFET晶体管实现。
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公开(公告)号：CN1449110A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108387.0
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/173 , H03H9/0095 , H03H9/545 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/566 , H03H9/581 , H03H9/585 , H03H9/60 , H03H2009/02196
Abstract: 提供一种电压控制振荡器，其使用薄膜压电共振子，该薄膜压电共振子使用极化方向统一到膜厚方向的厚10μm以下的单晶强介电体作为压电体。通过使加到该电极的电压，可具有0.01％/V以上的大的振荡频率变化率，相位静噪非常小。这样，可提供具有宽的频率可变范围、频率稳定性高、相位静噪优良、经时变化少、超小型并且可产生多个频率的电压控制振荡器。
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公开(公告)号：CN103812486B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201310504023.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 太阳诱电株式会社
Inventor： 岩城匡郁
IPC: H03K17/94 , H03K17/687 , H03K17/28
CPC classification number: H03H9/36 , H03H9/42 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H9/6436 , H03K17/693
Abstract: 开关器件和模块。一种开关器件包括：开关，该开关选择输入输出端子中的一个并将其连接到公共端子；以及延迟线，该延迟线在所述输入输出端子中的两个端子之间与所述开关并联连接，并利用声波使信号延迟。
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公开(公告)号：CN102611410B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210018279.7
申请日：2012-01-19
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/0023 , H03H9/0071 , H03H9/0085 , H03H9/02669 , H03H9/542 , H03H9/585 , H03H9/6436 , H03H9/644 , H03H9/6483 , H03H9/6489 , H03H9/706
Abstract: 本发明涉及一种双工器，该双工器包括：接收滤波器，该接收滤波器连接在接收端子和天线端子之间并且包括一个或多个串联谐振器，该一个或多个串联谐振器是声波谐振器；和发送滤波器，该发送滤波器连接在发送端子和天线端子之间并且包括一个或多个声波谐振器，在接收滤波器中为所述一个或多个串联谐振器中的一个串联谐振器并且最靠近天线端子的第一串联谐振器的谐振频率高于接收滤波器的接收频带的上限频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102804602A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025958.6
申请日：2010-06-10
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 贾斯廷·P·布莱克 , 菲利普·J·斯特凡诺
CPC classification number: H03H9/585 , H03H9/0207 , H03H9/02228 , H03H9/178 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电谐振器装置包含五层。第一层和第五层包含一个或一个以上金属电极(400、420)。第二层(404)和第四层(402)包含压电材料。第三层(406)包含金属层。在所述第一层的第一区域中，所述第一层金属电极包括沿着一个维度的第一层周期性结构(420)，所述第一层周期性结构(420)包含所述一个或一个以上第一层金属电极中的一者和不具有第一层金属电极的空间。在所述第五层的第二区域中，所述第五层金属电极包括沿着所述一个维度的第五层周期性结构(400)，所述第五层周期性结构(400)包含所述一个或一个以上第五层金属电极中的一者和不具有第五层金属电极的空间。所述第一层周期性结构与所述第五层周期性结构对准，以使得所述一个或一个以上第五层金属电极中的所述一者在不具有第一层金属电极的所述空间下方居中，且所述一个或一个以上第一层金属电极中的所述一者在不具有第五层金属电极的所述空间上方居中，或所述第一层周期性结构与所述第五层周期性结构对准，以使得所述一个或一个以上第五层金属电极中的所述一者在所述第一层金属电极下方居中。
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公开(公告)号：CN101501990A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780028981.9
申请日：2007-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H9/132 , H03H9/542 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2009/02204
Abstract: 本发明是一种声音薄膜谐振器，具有第一压电薄膜(101)；成对的一次侧电极(103、104)，形成在上述第一压电薄膜上，用于施加电信号；第二压电薄膜(102)，被配置成传播在上述第一压电薄膜中产生的振动；成对的二次侧电极(104、105)，形成在上述第二压电薄膜上，用于输出电信号；负载(108)，连接在上述二次侧电极之间；以及控制部(109)，控制上述负载的值。构成有利用压电效应从上述二次侧电极输出从上述一次侧电极输入的电信号的声音薄膜谐振子，通过控制上述负载的值从而谐振频率和反谐振频率可变。根据本发明，谐振频率和反谐振频率同时可变而不会使谐振特性劣化。
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公开(公告)号：CN1929303A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128699.5
申请日：2006-09-08
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
Inventor： 理查德·C·卢比
CPC classification number: H03H9/02102 , H03H3/04 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0407 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明公开了一种经温度补偿后的谐振器对。该经温度补偿后的谐振器对包括配置成在第一频率下谐振并且具有第一频率温度系数的第一谐振器，配置成在第二频率下谐振并且具有第二频率温度系数的第二谐振器。第二频率大于第一频率；第二频率温度系数小于第一频率温度系数，在共同的衬底上制造第一谐振器和第二谐振器。
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公开(公告)号：CN1355604A
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN01137881.6
申请日：2001-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 山内政和
Abstract: 一种利用面积翘曲振动模式的三个端子滤波器,比利用面积膨胀振动模式或长度振动模式的滤波器要小,易于通过改变三个端子滤波器的厚度和长度对其进行调节,以产生所要求的频率。三个端子滤波器包括基本为正方形形状的三个电极;和基本为正方形形状的两个压电层,它们被交替地层叠起来。压电层在与厚度方向相同的方向上或者在相反的厚度方向上被极化。三个端子滤波器进一步包括起输入电极作用的一个表面电极、起输出电极作用的另一个表面电极、和起接地电极作用的内部电极。
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公开(公告)号：CN102739191B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210093059.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
Inventor： 达利斯·布拉卡 , 亚历山大勒·施拉卡瓦 , 斯特凡·巴德
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明涉及包括桥部的堆叠式声学谐振器。根据代表性实施例，体声波(BAW)谐振器结构包括：设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的第一压电层；设置在第一压电层上的第二电极；设置在第二电极上的第二压电层；设置在第二压电层上的第三电极；和设置在第一电极和第三电极之间的桥部。
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