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公开(公告)号:CN102739191B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201210093059.0
申请日:2012-03-29
Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
Inventor: 达利斯·布拉卡 , 亚历山大勒·施拉卡瓦 , 斯特凡·巴德
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明涉及包括桥部的堆叠式声学谐振器。根据代表性实施例,体声波(BAW)谐振器结构包括:设置在衬底上的第一电极;设置在第一电极上的第一压电层;设置在第一压电层上的第二电极;设置在第二电极上的第二压电层;设置在第二压电层上的第三电极;和设置在第一电极和第三电极之间的桥部。
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公开(公告)号:CN106026964A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610361145.3
申请日:2016-05-29
CPC classification number: H01P1/201 , H03H9/0014 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/583 , H03H2003/0464 , H03H2009/02196 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/0504 , H03H9/54 , H03H2009/02173
Abstract: 本发明提供了可调薄膜体声波谐振器和滤波器,涉及到与半导体压电结构相关的结特性,通过调整施加的直流偏压进而改变具有受控掺杂浓度的半导体压电结构使谐振器的中心频率或带宽可调,以形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器。
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公开(公告)号:CN103328927A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201180058730.1
申请日:2011-09-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 仓川晴好
IPC: G01C19/5607 , H03H9/58
CPC classification number: G01C19/5607 , G01C19/5642 , H01L41/047 , H01L41/107 , H03H9/21 , H03H9/583
Abstract: 本发明提供能提高驱动效率、检测灵敏度且能实现制造工序的简化进而能提高设计自由度的音片型压电振动器以及音叉型压电振动器。在厚度方向上反向地进行了极化的第1压电体层、第2压电体层(3、4)间层叠有第1、第2内部驱动电极(5、6)作为内部驱动电极,按照隔着压电体层(3、4)分别与第1内部驱动电极(5、6)对置的方式形成第1外部电极(7)以及第2外部电极(8),构成了将内部驱动电极(5、6)作为驱动用电极使用的第1、第2振动部(1A、1B),提供这样的音片型压电振动器(1)、和具有由该音片型压电振动器(1)构成的第1脚部、第2脚部的音叉型压电振动器。
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公开(公告)号:CN1988376A
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200610169257.5
申请日:2006-12-21
Applicant: 株式会社爱思塞拉
IPC: H03H9/02 , H03H9/10 , H03H9/15 , H01L41/053 , H04R17/00
CPC classification number: H03H9/0561 , H03H3/02 , H03H9/1035 , H03H9/176 , H03H9/583
Abstract: 本发明提供了一种具有帽装置的表面安装谐振器以及一种利用绝缘陶瓷基底形成该表面安装谐振器的方法。所述表面安装谐振器包括:帽装置,具有上帽装置和下帽装置,下帽装置具有振动凹槽,上帽装置具有帽端子连接电极;共振装置,设置在所述帽装置之下,包括每个都具有共振电极和围绕所述共振电极的共振孔的上共振装置、中间共振装置和下共振装置;电容器装置,具有顺序地堆叠在所述共振装置之下的第一电容器装置至第五电容器装置,所述第一电容器装置具有另一个振动凹槽,所述第二电容器装置至第四电容器装置具有电容器电极,所述第五电容器装置具有电容器端子连接电极;连接线,用于连接所述电容器端子连接电极和所述帽端子连接电极。
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公开(公告)号:CN102332888B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201110181588.1
申请日:2011-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 三宅高志
CPC classification number: H03H9/0095 , H03H9/178 , H03H9/564 , H03H9/583 , H03H9/585 , H03H9/605 , H03H9/706
Abstract: 本发明提供一种声波元件,包含多个谐振器结构(10、20),该谐振器结构包括相邻配置的多个谐振器(11a、11b、21a、21b),这些谐振器(11a、11b、21a、21b)彼此互相耦合来进行谐振,由此能够以两种以上的振动模式进行激振。谐振器结构(10、20)中的至少一个谐振器结构(10)被电连接为:在滤波器频带内一种振动模式下的谐振特性表现得比其他振动模式下的谐振特性更强。因此,即使仅采用谐振器彼此互相耦合而谐振的谐振器结构来构成声波元件,也能够改善陡峭性。
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公开(公告)号:CN102916674A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201210273497.5
申请日:2012-08-02
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/0095 , H03H9/02102 , H03H9/131 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/583 , H03H9/585 , H03H9/605 , H03H9/706 , H03H2003/0471
Abstract: 本发明提供了一种声波滤波器。一种包括多个压电薄膜谐振器的声波滤波器,其中至少两个所述压电薄膜谐振器包括:基板;位于所述基板上的压电膜;隔着至少一部分所述压电膜设置的下电极和上电极;用于频率控制的质量负荷膜,其位于下电极与上电极彼此面对的谐振区内,并且具有与谐振区的形状不同的形状;以及温度补偿膜,其弹性常数的温度系数具有与压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反的符号,至少一部分所述温度补偿膜在谐振区中位于下电极与上电极之间,并且所述至少两个所述压电薄膜谐振器的质量负荷膜的面积彼此不同。
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公开(公告)号:CN102739191A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210093059.0
申请日:2012-03-29
Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司
Inventor: 达利斯·布拉卡 , 亚历山大勒·施拉卡瓦 , 斯特凡·巴德
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明涉及包括桥部的堆叠式声学谐振器。根据代表性实施例,体声波(BAW)谐振器结构包括:设置在衬底上的第一电极;设置在第一电极上的第一压电层;设置在第一压电层上的第二电极;设置在第二电极上的第二压电层;设置在第二压电层上的第三电极;和设置在第一电极和第三电极之间的桥部。
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公开(公告)号:CN102332888A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201110181588.1
申请日:2011-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 三宅高志
CPC classification number: H03H9/0095 , H03H9/178 , H03H9/564 , H03H9/583 , H03H9/585 , H03H9/605 , H03H9/706
Abstract: 本发明提供一种声波元件,包含多个谐振器结构(10、20),该谐振器结构包括相邻配置的多个谐振器(11a、11b、21a、21b),这些谐振器(11a、11b、21a、21b)彼此互相耦合来进行谐振,由此能够以两种以上的振动模式进行激振。谐振器结构(10、20)中的至少一个谐振器结构(10)被电连接为:在滤波器频带内一种振动模式下的谐振特性表现得比其他振动模式下的谐振特性更强。因此,即使仅采用谐振器彼此互相耦合而谐振的谐振器结构来构成声波元件,也能够改善陡峭性。
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