公开(公告)号：CN102739191B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210093059.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司

Inventor： 达利斯·布拉卡 ,  亚历山大勒·施拉卡瓦 ,  斯特凡·巴德

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/132 ,  H03H9/583 ,  H03H9/585 ,  H03H9/587 ,  H03H9/589

Abstract: 本发明涉及包括桥部的堆叠式声学谐振器。根据代表性实施例，体声波(BAW)谐振器结构包括：设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的第一压电层；设置在第一压电层上的第二电极；设置在第二电极上的第二压电层；设置在第二压电层上的第三电极；和设置在第一电极和第三电极之间的桥部。

公开(公告)号：CN104953976B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510146470.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司

Inventor： 达里乌斯·布拉卡 ,  斯特凡·巴德 ,  亚历山大勒·施拉卡瓦 ,  凯文·J·格伦纳

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/0477 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/132 ,  H03H9/171 ,  H03H9/584

Abstract: 本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。

公开(公告)号：CN104953976A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510146470.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 安华高科技通用IP(新加坡)公司

Inventor： 达里乌斯·布拉卡 ,  斯特凡·巴德 ,  亚历山大勒·施拉卡瓦 ,  凯文·J·格伦纳

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L41/0477 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/132 ,  H03H9/171 ,  H03H9/584

Abstract: 本发明涉及一种包括声再分布层的声谐振器。一种声谐振器结构包括：压电层，其具有第一表面及第二表面；第一电极，其邻近于所述第一表面安置；及第二电极，其邻近于所述第二表面安置。所述第一电极包括：第一导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第一声阻抗；及第二导电层，其安置于所述第一导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第一声阻抗的第二声阻抗。所述第二电极可安置于衬底与所述压电层之间，且所述第二电极可包括：第三导电层，其邻近于所述压电层安置且具有第三声阻抗；及第四导电层，其安置于所述第三导电层的与所述压电层相对的侧上且具有大于所述第三声阻抗的第四声阻抗。