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公开(公告)号：CN119698030A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311727844.1
申请日：2023-12-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备第一～第四电极、第一～第三半导体区域、第一、第二绝缘部。第三电极包含：第一电极区域，沿着第二方向延伸，在第三方向上与第二半导体区域排列；第二电极区域，沿着第三方向延伸，在第二方向上与第二半导体区域排列；第三电极区域，连接第一电极区域和第二电极区域。第一绝缘部包含：包含第一、第二绝缘部分的第一绝缘区域；包含第三、第四绝缘部分的第二绝缘区域；包含第五、第六绝缘部分的第三绝缘区域。第六绝缘部分在第一方向上设置在第一半导体区域与第三电极区域间。第四电极在第二、第三方向上与第一半导体区域及第三电极排列。第六绝缘部分的下端位于比第二绝缘部分的下端及第四绝缘部分的下端靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN119653827A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410027713.0
申请日：2024-01-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式具备第一电极、第二电极、半导体部、栅极电极和构造体。半导体部设于第一电极与第二电极之间。栅极电极设于半导体部与第二电极之间。构造体在栅极电极下向半导体部内延伸。半导体部包含第一～第五层。第一～第五层按照该顺序层叠。第一～第三、第五层是第一导电型。第四层是第二导电型。栅极电极与第四层相向。构造体包含绝缘膜、导电体、绝缘层及硅化物层。硅化物层设于构造体的下端。构造体的下端与第二层相接。第二层包含重金属。第三层的重金属的浓度比第二层低。
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公开(公告)号：CN117096174A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211662630.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第1电极、n形的第1半导体区域、p形的第2半导体区域、n形的第3半导体区域、栅极电极、以及第2电极。第1半导体区域设置在第1电极上。第2半导体区域设置在第1半导体区域上，包括第1接触区域。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分上。第3半导体区域包括第2接触区域。第2接触区域中的第1元素的浓度比第1接触区域中的第1元素的浓度低。第1元素为从由金以及铂系元素形成的组中选择的至少一种。栅极电极隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第2半导体区域以及第3半导体区域上，并与第1接触区域以及第2接触区域相接。
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公开(公告)号：CN119698029A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311727839.0
申请日：2023-12-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一～第四电极、第一～第三半导体区域、第一、第二绝缘部以及连接部。第三电极包含：第一电极区域，沿着第二方向延伸，在第三方向上与第二半导体区域排列；第二电极区域，沿着第三方向延伸，在第二方向上与第二半导体区域排列；以及第三电极区域，连接第一电极区域和第二电极区域。第一绝缘部包含：第一绝缘区域，包含第一、第二绝缘部分；第二绝缘区域，包含第三、第四绝缘部分；以及第三绝缘区域，包含第五、第六绝缘部分。第四电极与第一半导体区域以及第三电极排列。连接部具有：第一连接部，位于第三绝缘区域与第二绝缘部之间；以及第二连接部，位于第三绝缘区域与第一连接部之间。
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公开(公告)号：CN119677131A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311699421.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置，能够减少反向恢复电荷。半导体装置具备：半导体层、分别设置于第1及第2主面的第1及第2主电极、第1导电型的第1半导体区域、从第1主面到达第1半导体区域的第1绝缘区域、设置于第1绝缘区域内的第1导电部、与第1绝缘区域相邻的第2绝缘区域、设置于第2绝缘区域内的控制电极、位于第1与第2绝缘区域之间的第1导电型的第2半导体区域、隔着第2半导体区域位于控制电极的相反侧且与第2半导体区域之间形成肖特基结的第2导电部、设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第3半导体区域、位于第3半导体区域与第1主电极之间的第1导电型的第4半导体区域、以及设置于第3及第4半导体区域内的接触部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628518A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110947803.8
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。
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公开(公告)号：CN112420818B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010069989.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供能够提高雪崩耐量的半导体装置。该半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、导电性的含金属部、绝缘部、栅极电极、第二电极、第一布线层、以及第二布线层。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域及含金属部设于第二半导体区域之上。绝缘部在第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。栅极电极以及第二电极设于绝缘部中。第一布线层隔着第一绝缘层设于含金属部的一部分及栅极电极之上，与栅极电极电连接。第二布线层与第一布线层分离地设置，与含金属部以及第二电极电连接。
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公开(公告)号：CN117747660A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211713470.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第一导电型的第一半导体层和与第一半导体层相接的第二导电型的第二半导体层；第一电极，在半导体部的表面侧或背面侧与第一半导体层电连接；第二电极，在半导体部的表面侧与第二半导体层电连接；栅极电极，在半导体部内或半导体部的表面侧与第二半导体层对置；层间绝缘膜，在半导体部的表面侧将栅极电极与第二电极电绝缘；以及第一导电型的第三半导体层，具有在半导体部的表面侧与第二半导体层及第二电极相接的第一区域、和在与从第一半导体层朝向第二电极的第一方向正交的第二方向上设置于层间绝缘膜与第二电极之间的第二区域。
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公开(公告)号：CN117476587A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211725326.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/367
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体芯片及半导体装置。有关实施方式的半导体芯片具备第1电极、半导体层、第2电极、第3电极和金属层。上述半导体层包括第1部分、第2部分及位于上述第1部分与上述第2部分之间的第3部分，设在上述第1电极之上。上述第2电极设在上述第1部分之上。上述第3电极设在上述第2部分之上。上述金属层设在上述第1电极之下，位于上述第3部分之下。上述金属层的下表面位于上述第1电极的下表面的下方。
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公开(公告)号：CN115050833A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110953890.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。
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