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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN117096174A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202211662630.6

申请日：2022-12-23

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 菊池健二 , 可知刚 , 马场祥太郎

IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第1电极、n形的第1半导体区域、p形的第2半导体区域、n形的第3半导体区域、栅极电极、以及第2电极。第1半导体区域设置在第1电极上。第2半导体区域设置在第1半导体区域上，包括第1接触区域。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分上。第3半导体区域包括第2接触区域。第2接触区域中的第1元素的浓度比第1接触区域中的第1元素的浓度低。第1元素为从由金以及铂系元素形成的组中选择的至少一种。栅极电极隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域相面对。第2电极设置在第2半导体区域以及第3半导体区域上，并与第1接触区域以及第2接触区域相接。

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