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公开(公告)号：CN119698028A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311717300.7
申请日：2023-12-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。半导体装置具备第一～第四电极、第一～第四半导体区域和第一、第二绝缘部。第三电极包含沿第二方向延伸且在第三方向上与第二半导体区域并列的第一电极区域、沿第三方向延伸且在第二方向上与第二半导体区域并列的第二电极区域和将第一电极区域与第二电极区域连接的第三电极区域。第一绝缘部包括包含第一、第二绝缘部分的第一绝缘区域、包含第三、第四绝缘部分的第二绝缘区域和包含第五、第六绝缘部分的第三绝缘区域。第六绝缘部分在第一方向上设于第一半导体区域与第三电极区域之间。第四电极在第二、第三方向上与第一半导体区域及第三电极并列。第四半导体区域设于第六绝缘部分之下。
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公开(公告)号：CN118676204A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310739863.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/40
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119698029A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311727839.0
申请日：2023-12-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一～第四电极、第一～第三半导体区域、第一、第二绝缘部以及连接部。第三电极包含：第一电极区域，沿着第二方向延伸，在第三方向上与第二半导体区域排列；第二电极区域，沿着第三方向延伸，在第二方向上与第二半导体区域排列；以及第三电极区域，连接第一电极区域和第二电极区域。第一绝缘部包含：第一绝缘区域，包含第一、第二绝缘部分；第二绝缘区域，包含第三、第四绝缘部分；以及第三绝缘区域，包含第五、第六绝缘部分。第四电极与第一半导体区域以及第三电极排列。连接部具有：第一连接部，位于第三绝缘区域与第二绝缘部之间；以及第二连接部，位于第三绝缘区域与第一连接部之间。
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公开(公告)号：CN119325271A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410053680.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。沟槽构造部具有：场板电极；第一绝缘膜，其设于场板电极与半导体层之间；第二绝缘膜，其设于场板电极上，向比第一绝缘膜靠近半导体层的第一面的一侧延伸突出；以及栅极电极，其具有设于第二绝缘膜上的第一部分和设于第一绝缘膜上且比第一部分厚的第二部分。栅极接触部从栅极配线层向第二部分延伸突出而与第二部分相接，且不位于第一部分与栅极配线层之间。在第二方向上，第一部分位于栅极接触部与第二部分相接的下端部的相邻处。
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公开(公告)号：CN119698030A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311727844.1
申请日：2023-12-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式的半导体装置具备第一～第四电极、第一～第三半导体区域、第一、第二绝缘部。第三电极包含：第一电极区域，沿着第二方向延伸，在第三方向上与第二半导体区域排列；第二电极区域，沿着第三方向延伸，在第二方向上与第二半导体区域排列；第三电极区域，连接第一电极区域和第二电极区域。第一绝缘部包含：包含第一、第二绝缘部分的第一绝缘区域；包含第三、第四绝缘部分的第二绝缘区域；包含第五、第六绝缘部分的第三绝缘区域。第六绝缘部分在第一方向上设置在第一半导体区域与第三电极区域间。第四电极在第二、第三方向上与第一半导体区域及第三电极排列。第六绝缘部分的下端位于比第二绝缘部分的下端及第四绝缘部分的下端靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN117747634A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211696439.3
申请日：2022-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：漏极电极；源极电极；半导体区域，配置在所述漏极电极与所述源极电极之间；栅极电极，隔着第一绝缘膜配置在所述半导体区域中；以及第二绝缘膜，配置在所述栅极电极与所述源极电极之间，且具有比所述第一绝缘膜的相对介电常数高的相对介电常数。
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公开(公告)号：CN116632063A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210781346.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 根据一实施方式半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域；第一导电型的第三半导体区域；第一导电部；第一栅极电极；第二导电部；第二栅极电极；第一连接部；以及第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部设于第一半导体区域之中。第一栅极电极在与第一方向垂直的第二方向上与第二半导体区域面对，第一方向是从第一电极朝向第一半导体区域的方向。第二导电部隔着第二绝缘部设于第一半导体区域之中。第二栅极电极在第二方向上与第二半导体区域面对。第一连接部设于比第二半导体区域以及第三半导体区域靠上方的位置，与第一栅极电极以及第二栅极电极相接。第二电极设于第二半导体区域以及第三半导体区域之上。
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