本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间；第三电极，设置在第一半导体层内，隔着绝缘体的一部分与第一半导体层对置；第二导电型的第二半导体层，设置在第一半导体层与第二电极之间，具有位于第一电极侧的下表面，与第二电极电连接；第二导电型的第三半导体层，从第二半导体层向第一电极侧延伸突出，位于第一电极侧的下端位于比第二半导体层的下表面靠第一电极侧的位置，与绝缘体分离；第四电极，隔着绝缘体的另一部分与第二半导体层对置；以及第一导电型的第四半导体层，设置在第二半导体层与第二电极之间，与第二电极电连接。