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公开(公告)号：CN106207754A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610833227.3
申请日：2016-09-20
Applicant: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/34346
Abstract: 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1-xN/pInyGa1-yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr-260torr，生长温度800℃-1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。
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公开(公告)号：CN103022296B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210507475.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01S2301/17
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件的外延结构，包括电子注入区、空穴注入区、多量子阱有源区、阻挡载流子的势垒层以及一个或多个带边整形层。该带边整形层的掺杂类型和/或掺杂浓度与其相邻层有差异，可通过调整其掺杂类型、掺杂浓度和/或层厚度，利用其形成的局域内建电场修整半导体能带的带边形状，使多量子阱有源区中的载流子分布均匀，总体俄歇复合降低，以及提升阻挡载流子的势垒层的有效势垒高度，减小载流子溢出多量子阱有源区形成的漏电流，从而提高内量子效率。本发明还公开了应用该外延结构的半导体发光器件，同样利用局域内建电场对能带结构带边形状的修整，产生俄歇复合降低和/或漏电流减小的效果，从而提高器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN103022296A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210507475.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01S2301/17
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件的外延结构，包括电子注入区、空穴注入区、多量子阱有源区、阻挡载流子的势垒层以及一个或多个带边整形层。该带边整形层的掺杂类型和/或掺杂浓度与其相邻层有差异，可通过调整其掺杂类型、掺杂浓度和/或层厚度，利用其形成的局域内建电场修整半导体能带的带边形状，使多量子阱有源区中的载流子分布均匀，总体俄歇复合降低，以及提升阻挡载流子的势垒层的有效势垒高度，减小载流子溢出多量子阱有源区形成的漏电流，从而提高内量子效率。本发明还公开了应用该外延结构的半导体发光器件，同样利用局域内建电场对能带结构带边形状的修整，产生俄歇复合降低和/或漏电流减小的效果，从而提高器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN1879266A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480032810.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 波科海姆技术公共有限公司
Inventor： B·里德
CPC classification number: H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/3438
Abstract: 一种适于高温工作的半导体激光器结构，该半导体激光器结构具有限制层以将电子限制到有源区(量子阱)，并具有分隔的基于锑化物的包层以提供额外的电子限制和光子限制。该结构适于在980nm至1.55μm(微米)的远程通信波长发射激光。该包层使用了AlAsSb，其能与InP晶格匹配且能用于获得大的导带偏移。其对于无冷却器(没有热电冷却器)的工作非常有用。
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公开(公告)号：CN102823089B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180008463.7
申请日：2011-02-02
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor： M.V.基辛 , H.S.埃尔-高劳里
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
Abstract: 发射器的多QW（MQW）活性区域中的不同量子阱（QW）的不均匀的总数强烈地恶化了极性和非极性III族氮化物发光结构中的注入效率。不均匀的QW总数随更深的活性QW而在长波长发射器中变得更强。在极性和非极性结构中，根据要被发射的光的期望波长，结合到活性区域的光波导层和/或势垒层中的铟和/或铝改善了QW总数的均匀性并增加了该结构的注入效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102823089A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180008463.7
申请日：2011-02-02
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor： M.V.基辛 , H.S.埃尔-高劳里
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
Abstract: 发射器的多QW（MQW）活性区域中的不同量子阱（QW）的不均匀的总数强烈地恶化了极性和非极性III族氮化物发光结构中的注入效率。不均匀的QW总数随更深的活性QW而在长波长发射器中变得更强。在极性和非极性结构中，根据要被发射的光的期望波长，结合到活性区域的光波导层和/或势垒层中的铟和/或铝改善了QW总数的均匀性并增加了该结构的注入效率。
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公开(公告)号：CN1934719A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008612.4
申请日：2005-11-04
Applicant: LG伊诺特有限公司
Inventor： 梁承铉
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02436 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01S5/34386 , H01S2301/04
Abstract: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。
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公开(公告)号：CN107742825A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711020759.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 华南师范大学
CPC classification number: H01S5/34346 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN106062536A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011070.X
申请日：2015-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01N21/39 , G01N21/01 , G01N21/3504 , G01N33/497 , H01S5/343
CPC classification number: G01N21/3504 , A61B5/00 , A61B5/0059 , A61B5/082 , G01N21/05 , G01N21/39 , G01N33/004 , G01N33/497 , G01N2021/399 , G01N2201/12 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S5/34346
Abstract: 呼气诊断装置包括气室部、光源部、检测部和控制部。所述气室部包括供包含呼气的试样气体导入的空间，所述呼气含有二氧化碳的第一同位素和二氧化碳的第二同位素。所述光源部向所述空间射入光。所述光源部使所述光的波长在4.34微米以上且4.39微米以下的波段内进行变化。所述检测部实施下述动作，该动作包括：第一检测，对通过了导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测；以及第二检测，对通过了未导入有所述试样气体的所述空间的所述光的强度进行检测。所述控制部根据所述第一检测的结果和所述第二检测的结果，计算出所述试样气体中的所述第二同位素的量相对于所述第一同位素的量之比。
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公开(公告)号：CN105186284A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510288891.X
申请日：2015-05-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 宫坂文人
CPC classification number: H01S5/34333 , H01S5/02296 , H01S5/106 , H01S5/164 , H01S5/221 , H01S5/2272 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S5/34 , H01S5/34346
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。提供一种抑制由于对光发射端面的灾变性光学损伤(COD)而造成的端面破坏并具有高输出特性的半导体激光器。在具有从(0001)面在 方向上的偏离角的主面的n型衬底上提供n型披覆层、电流阻挡层、有源层以及p型披覆层。例如，电流阻挡层布置在电流狭窄区的两侧。随后，电流阻挡层布置为从解理面(线)缩回。在这种情况下，在具有结晶生长在n型披覆层和电流阻挡层上的量子阱结构的有源层中，窗口区从解理面(线)直至电流阻挡层的端部的层厚度小于电流狭窄区(电流阻挡层之间的区域)的层厚度。因此，窗口区中的有源层的带隙变大，且因此能抑制由于COD造成的端面破坏。
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