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公开(公告)号：CN108376906A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201711458545.7
申请日：2017-12-28
申请人： 安捷伦科技有限公司
发明人： G·派特里奇
CPC分类号： H01S5/141 , H01S3/08059 , H01S3/1003 , H01S3/1055 , H01S3/125 , H01S5/1025 , H01S5/1092 , H01S5/14 , H01S5/3401 , H01S5/06
摘要： 本申请公开一种光源，其具有增益芯片、逆反射棱镜和第一促动器。增益芯片放大穿过其中的光。逆反射棱镜的特征在于逆反射棱镜内的枢转轴线、输入光方向、输出光方向和衍射光栅，所述衍射光栅接收由增益芯片发射的在输入方向上行进的光、使衍射光束沿输入光方向返回到增益芯片、并产生输出光束。第一促动器响应于与第一促动器耦合的控制信号而使逆反射棱镜围绕枢转轴线旋转。
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公开(公告)号：CN102593714B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210047801.4
申请日：2012-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
CPC分类号： H01S5/005 , G02B6/2773 , G02B6/4218 , G02B6/4271 , G02B6/4285 , G02B6/4296 , G02B27/283 , H01S3/06766 , H01S3/094096 , H01S3/302 , H01S5/02216 , H01S5/02415 , H01S5/1092 , H01S5/146 , H01S2301/04
摘要： 一种单泵多波长激射的半导体拉曼泵浦激光器，有位于壳体内的半导体制冷器，设置在半导体制冷器内的热过渡承载台，设置在热过渡承载台上的半导体拉曼泵浦激光器管芯，分别设置在热过渡承载台上的耦合透镜组、热敏电阻和背光探测器，泵浦激光器管芯、背光探测器、热敏电阻以及半导体制冷器与激光器管壳外部的引脚为电气连接。泵浦合波装置，有依次连接的第一信号传输光纤、泵浦信号合波器以及第二信号传输光纤，泵浦信号合波器的输入端连接隔离偏振合束退偏器的输出端，隔离偏振合束退偏器的两个保偏光纤输入端分别对应连接一个单泵多波长激射的半导体拉曼泵浦激光器。本发明可节省泵浦个数，提高泵浦功率利用率，缩小放大器尺寸，降低放大器的制造以及运行成本。
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公开(公告)号：CN101946378B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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公开(公告)号：CN104345531B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410354018.1
申请日：2014-07-23
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： G03B21/208 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G03B21/204 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01S5/1092 , H04N9/3158
摘要： 本发明提供能够通过简便的构成有效活用激发光的光源装置及投影机。本发明的光源装置具备：发光元件，其具有第1发光区域与第2发光区域，射出第1波段的激发光；荧光体层，其设置成俯视与第1发光区域重叠，通过从第1发光区域射出的第1激发光的照射，发出与第1波段不同的第2波段的光；反射元件，其设置于荧光体层的与发光元件相反侧，使第2波段的光透射，将第1波段的光反射；和导光部，其配置于荧光体层与反射元件之间的光路中，使从第2发光区域射出的第2激发光及从荧光体层射出的光透射、使由反射元件反射的第2激发光中的至少一部分入射到荧光体层地对第2激发光进行导光。
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公开(公告)号：CN102377108B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110207676.4
申请日：2011-07-25
申请人： 安立股份有限公司
CPC分类号： H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/1021 , H01S5/1092 , H01S5/1203 , H01S5/34306
摘要： 本发明提供一种发出多个波段的光的半导体发光元件、其驱动方法、发光装置和光脉冲测试仪。该半导体发光元件的驱动方法，所述半导体发光元件形成如下结构：在1.55μm段具有增益波长(λ1)的活性层(13a)和在1.3μm段具有增益波长(λ2)的活性层(13b)沿着光的波导方向被光耦合而按增益波长(λ1、λ2)的长度依次串联配置，在具有较短的增益波长(λ2)的活性层(13b)附近并且在活性层(13a)和活性层(13b)的对接耦合部(19)附近，形成具有较短的增益波长(λ2)的布拉格波长的衍射光栅(20)，所述驱动方法为如下：向活性层(13a)外加驱动电流时，短路设置于活性层(13b)的上方的上部电极和设置于半导体基板的底面的下部电极，以使漏电流不流入活性层(13b)。
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公开(公告)号：CN103107481A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源，其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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公开(公告)号：CN1591154A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410036891.2
申请日：2004-04-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01S5/14 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/06812 , H01S5/1085 , H01S5/1092
摘要： 一种多波长光源，包括衬底以及层压于所述衬底上的法布里－珀罗激光器，通过低于预定阈值电流的驱动电流操作该激光器，以便产生包括多个波峰的多波长光，所述波峰的波长和间隔与WDM信道的波长和间隔相等。按照以下设置将半导体光放大器(SOA)层压在衬底上：使SOA的斜面与与法布里－珀罗激光器的侧面相对，由此用于放大从法布里－珀罗激光器输出的多波长光。在增益饱和状态驱动半导体光放大器，以便减少同时被放大的多波长光的信道中噪声的相对强度。
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公开(公告)号：CN104011950B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201280062546.9
申请日：2012-01-18
申请人： 慧与发展有限责任合伙企业
发明人： 迈克尔·瑞恩·泰·谭 , 戴维·A·法塔勒 , 韦恩·V·瑟林 , 沙吉·V·马塔尔
CPC分类号： H01S5/423 , B82Y20/00 , G02B6/12016 , G02B6/12019 , G02B6/12026 , G02B6/124 , G02B6/13 , G02B2006/12107 , G02B2006/12164 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/02461 , H01S5/0268 , H01S5/068 , H01S5/1092 , H01S5/183 , H01S5/18319 , H01S5/18363 , H01S5/18386 , H01S5/187 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H01S5/4087
摘要： 提供用于高密度激光器光学器件的装置和方法。激光器光学器件装置的示例包括：在单体地集成的阵列中的多个垂直腔表面发射激光器(VCSEL)；高对比度光栅(HCG)，与该多个VCSEL中的每个的垂直腔的孔集成，以使能够发出多个激光发射波长中的单个激光发射波长；以及多个单模波导，每个与光栅耦合器集成，多个单模波导连接至多个集成的VCSEL和HCG中的每个，其中光栅耦合器中的每个对准至一集成的VCSEL和HCG。
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公开(公告)号：CN106463909A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031408.8
申请日：2015-04-17
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , G02B27/48 , H01S5/0207 , H01S5/0425 , H01S5/1092 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2304/04 , H04N9/3161
摘要： 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层
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公开(公告)号：CN103107481B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 一种激光源,其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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