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公开(公告)号：CN113851928B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111109431.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN116404020A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310293532.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本发明的实施例的受光元件包括：多个像素；多个像素公共的光电转换层；第一电极层，其设置在所述光电转换层的光入射面侧，其中，所述第一电极层包括多个第一电极，且其中，针对所述多个像素中的每一像素设置至少一个所述第一电极；遮光部，其埋设在所述第一电极层的相邻的所述第一像素之间；和第一半导体层，其设置在所述光电转换层和所述第一电极层之间，其中，所述遮光部的一个面延伸至所述第一半导体层的内部。本发明的受光元件可以抑制混色发生。
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公开(公告)号：CN109314124B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780038461.X
申请日：2017-05-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本发明的实施例的受光元件设置有：多个像素；多个像素公共的光电转换层；设置在光电转换层的光入射面侧的第一电极层；和第一电极层的埋设在彼此相邻的多个像素之间的遮光部。
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公开(公告)号：CN106663919B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580031161.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。
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公开(公告)号：CN109923742A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104160521A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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公开(公告)号：CN113851928A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111109431.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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公开(公告)号：CN107112722B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580068863.5
申请日：2015-10-02
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种光学半导体装置具有一种层压结构(20)，其中，n型化合物半导体层(21)、有源层(23)和p型化合物半导体层(22)依次层压，有源层(23)设置有具有隧道势垒层(33)的多量子阱结构，与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的组分的波动大于另一个阱层(311)的组分的波动，与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的带隙能量小于另一个阱层(311)的带隙能量，并且与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的厚度大于另一个阱层(311)的厚度。
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公开(公告)号：CN103975491A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060441.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/2206 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/176
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。
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