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公开(公告)号：CN103975491A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060441.X
申请日：2012-12-07
申请人： 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/2206 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/176
摘要： 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。
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公开(公告)号：CN104160521B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
申请人： 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
摘要： 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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公开(公告)号：CN104160521A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
申请人： 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
摘要： 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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公开(公告)号：CN104576869A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要： 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
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公开(公告)号：CN104218119A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410239477.5
申请日：2014-05-30
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC分类号： H01L31/035236 , G01N23/20 , G01N2223/611 , G01N2223/615 , H01L21/02398 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/184 , Y02E10/544
摘要： 本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。
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公开(公告)号：CN104025318A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280053028.0
申请日：2012-08-13
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供一种设置于半极性面上并抑制了发光所需要的偏压电压的上升的氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制作方法。在具有半极性面的主面(13a)的由六方晶类氮化物半导体构成的支撑基体上设置的发光层(17)的多重量子阱构造由阱层(17a)和阱层(17c)、以及阻挡层(17b)构成，阻挡层(17b)设置于阱层(17a)和阱层(17c)之间，阱层(17a)和阱层(17c)由InGaN构成，阱层(17a)和阱层(17c)具有处于0.15以上0.50以下的范围的铟组成，主面(13a)相对于六方晶类氮化物半导体的c面的倾斜角α处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，阻挡层(17b)的膜厚的值L处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。
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公开(公告)号：CN103999305A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062606.7
申请日：2012-09-19
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
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公开(公告)号：CN102549859B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN103959580A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要： 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN103797665A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280041775.2
申请日：2012-04-13
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b～18d分别设置于半导体区域19的第1～第3区域19b～19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。
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