公开(公告)号：CN113851928B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202111109431.8

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。

公开(公告)号：CN111065509B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201880051054.7

申请日：2018-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御友重吾 ,  佐藤圭

IPC: B29C64/393 ,  B29C64/124 ,  B29C64/277 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02

Abstract: 根据本发明的实施方式的立体光刻设备设置有光源单元、光检测单元和控制单元。光源单元包括发射用于固化光固化树脂的光的多个发光元件。光检测单元检测从光源单元发射的光。控制单元基于由光检测单元检测到的光形成光量分布曲线，所述光量分布曲线示出光的光亮分布，并且根据光量分布曲线控制多个发光元件的光发射。

公开(公告)号：CN110785901B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201880041719.6

申请日：2018-04-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  佐藤进 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  川西秀和

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。

公开(公告)号：CN109923742A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780066313.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构20，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层21，其具有第一表面21a和在第一表面21a的相反侧上的第二表面21b；有源层23，其面向第一化合物半导体层21的第二表面21b；以及第二化合物半导体层22，其具有面向有源层23的第一表面22a和在第一表面22a的相反侧上的第二表面22b。所述发光元件还设置有：第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面21a侧；和第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面22b侧。所述第一光反射层41具有凹面镜部分43，所述第二光反射层42具有平坦形状。

公开(公告)号：CN111033919A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053479.1

申请日：2018-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御友重吾 ,  佐藤圭

IPC: H01S5/40

Abstract: 根据本技术的一个方面的发光模块设置有多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，在一个方向上以预定间隔设置，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，分别向多个发光元件供电，该多个多光发射器在一个方向上并排设置。多个发光元件包括位于一个方向的末端的第一发光元件以及位于从一个方向的末端开始第二定位的第二发光元件。多个单独电极包括用于向第一发光元件供电的第一单独电极和用于向第二发光元件供电的第二单独电极。第一单独电极和第二单独电极设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。

公开(公告)号：CN109923742B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201780066313.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤进 ,  滨口达史 ,  泉将一郎 ,  风田川统之 ,  伊藤仁道 ,  御友重吾 ,  中岛博

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。

公开(公告)号：CN111065509A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880051054.7

申请日：2018-08-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御友重吾 ,  佐藤圭

IPC: B29C64/393 ,  B29C64/124 ,  B29C64/277 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02

Abstract: 根据本发明的实施方式的立体光刻设备设置有光源单元、光检测单元和控制单元。光源单元包括发射用于固化光固化树脂的光的多个发光元件。光检测单元检测从光源单元发射的光。控制单元基于由光检测单元检测到的光形成光量分布曲线，所述光量分布曲线示出光的光亮分布，并且根据光量分布曲线控制多个发光元件的光发射。

公开(公告)号：CN110892597A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046230.8

申请日：2018-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御友重吾 ,  滨口达史 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  佐藤进

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。

公开(公告)号：CN110268587A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201780071445.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨口达史 ,  御友重吾 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  佐藤进 ,  风田川统之

IPC: H01S5/183

Abstract: 本公开的实施方式的面发射激光器设置有：电流收缩区域，具有由从第二半导体层侧注入到层叠体内部的杂质形成的开口部；以及第一半导体层侧的第一DBR层和第二半导体层侧的第二DBR层，该第一DBR层和该第二DBR层在反向面对开口部的位置中夹紧层叠体。在开口部中，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。

公开(公告)号：CN110892597B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201880046230.8

申请日：2018-05-09

Applicant: 索尼公司

Inventor： 御友重吾 ,  滨口达史 ,  中岛博 ,  伊藤仁道 ,  佐藤进

IPC: H01S5/183

Abstract: 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。