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    读取电路
    2.
    发明公开
    读取电路 有权

    公开(公告)号：CN106921387A

    公开(公告)日：2017-07-04

    申请号：CN201610955356.X

    申请日：2016-10-27

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 中村重幸 ,  太田刚 ,  平柳通人 ,  铃木裕树 ,  足立俊介

    IPC分类号： H03K23/78

    CPC分类号： G01T1/247 ,  G01T1/18 ,  H01L31/02027 ,  H03K23/78

    摘要： 本发明涉及一种读取电路，是读取来自将在分别包含雪崩光电二极管的多个像素中产生的电流一并输出的光电转换元件的输出电流的电路，包括：接收上述输出电流，输出与上述输出电流成比例的大小的第1和第2电流的电流镜像电路；基于上述第1电流，进行入射至上述光电转换元件的光子的计数的光子计数电路；对上述第2电流进行积分而生成电压信号的积分电路；和基于从上述光子计数电路输出的计数结果和从上述积分电路输出的上述电压信号的大小，判断入射至上述光电转换元件的光的大小的信号处理部。

    光电二极管阵列
    5.
    发明授权
    光电二极管阵列 有权

    公开(公告)号：CN103190000B

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：CN201180052213.3

    申请日：2011-10-24

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 里健一 ,  山村和久 ,  大须贺慎二

    IPC分类号： H01L31/107

    CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02027

    摘要： 光电二极管阵列（10）包含：淬灭电阻（7），与各个雪崩光电二极管（APD）串联连接；外周配线（WL），包围形成有多个雪崩光电二极管（APD）的区域；及多个中继配线（8），电连接于外周配线（WL），且分别连接外周配线（WL）的至少2个部位之间。各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的一方经由淬灭电阻（7）而电连接于中继配线（8）的任意一个，各个雪崩光电二极管（APD）的阳极及阴极的另一方电连接于设置于半导体基板的其它的电极（6）。

    制作单光子雪崩二极管成像传感器的方法
    6.
    发明授权
    制作单光子雪崩二极管成像传感器的方法 有权

    公开(公告)号：CN105374834B

    公开(公告)日：2018-07-31

    申请号：CN201510319653.0

    申请日：2015-06-11

    申请人： 豪威科技股份有限公司

    发明人： 艾瑞克·A·G·韦伯斯特

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L31/02027 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

    摘要： 本申请案涉及制作单光子雪崩二极管成像传感器的方法。种制作雪崩光电二极管像素的方法包含在具有第掺杂浓度的第经掺杂半导体层上生长第二经掺杂半导体层。第二经掺杂半导体层以第二掺杂浓度生长,且具有与第经掺杂半导体层相反的多数电荷载流子类型。在第二经掺杂半导体层中形成具有第三掺杂浓度的经掺杂接触区域,第二经掺杂半导体层介于经掺杂接触区域与第经掺杂半导体层之间。经掺杂接触区域具有与第二经掺杂半导体层相同的多数电荷载流子类型。第三掺杂浓度大于第二掺杂浓度。在第二经掺杂半导体层中形成保护环区域,其具有与第二经掺杂半导体层相反的多数电荷载流子类型且延伸穿过第二经掺杂半导体层并环绕所述经掺杂接触区域。

    光模块
    8.
    发明公开
    光模块 有权

    公开(公告)号：CN106451393A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201610639226.5

    申请日：2016-08-05

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 见上洋平

    IPC分类号： H02H9/04

    CPC分类号： H01L31/02027 ,  H01L31/107 ,  H04B10/40 ,  H04B10/691 ,  H02H9/04

    摘要： 得到一种光模块，其能够实现稳定的浪涌耐受性而不依赖于有无光的射入。在APD(Avalanche Photodiode)的阴极与电源端子(TV1)之间连接有自偏置电阻(R1)。用于浪涌对策的齐纳二极管(D1)的阴极连接于电源端子(TV1)与自偏置电阻(R1)的连接点，阳极与接地端子(TGND)直接连接。接地端子(TGND)被电气接地。齐纳二极管(D1)的击穿电压(Vz)比施加于电源端子(TV1)的电源电压(Vapd)大。

    用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器
    9.
    发明公开
    用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器 有权

    公开(公告)号：CN104779259A

    公开(公告)日：2015-07-15

    申请号：CN201410437739.9

    申请日：2014-08-29

    申请人： 全视科技有限公司

    发明人： 埃里克·A·G·韦伯斯特

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

    CPC分类号： H01L31/02027 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

    摘要： 本申请涉及一种用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器。一种成像传感器系统包含包括形成于第一晶片的第一半导体层中的N个像素的单光子雪崩二极管SPAD成像阵列。每一像素的所述第一半导体层的实质上整个厚度为全耗尽的，以使得包含于每一像素中在前侧附近的倍增区域经配置为通过背侧且通过所述全耗尽第一半导体层的所述实质上整个厚度用光子来照明。深n型隔离区域安置于所述第一半导体层中在所述像素之间以将所述像素隔离。N个数字计数器形成于接合到所述第一晶片的第二晶片的第二半导体层中。所述N个数字计数器中的每一者耦合到所述SPAD成像阵列且经耦合以计数由所述像素中的相应一者产生的输出脉冲。

    具有过载保护功能的光接收模块
    10.
    发明公开
    具有过载保护功能的光接收模块 有权

    公开(公告)号：CN1790946A

    公开(公告)日：2006-06-21

    申请号：CN200410077688.X

    申请日：2004-12-17

    申请人： 中兴通讯股份有限公司

    发明人： 张立昆 ,  高登·瑞

    IPC分类号： H04B10/06 ,  H02H7/00

    CPC分类号： H04B10/66 ,  H01L31/02027

    摘要： 一种具有过载保护功能的光接收模块，用于光纤通讯领域；包括一雪崩光电二极管；一为雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路；一用于输入光检测的取样电阻；取样电阻的一端与DC/DC升压电路的输出端连接，在取样电阻的另一端与雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，且所述限流保护电阻的阻值大于取样电阻的阻值。当输入光功率过高时，瞬时产生较大的光生电流在限流保护电阻上产生的电压降会迅速增大，导致雪崩光电二极管的反向偏置电压迅速降低到无法产生雪崩效应，因此不会产生很大的光电流而造成雪崩光电二极管的过流损坏，从而起到了过载保护的作用。