公开(公告)号：CN104779317B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410446216.0

申请日：2014-09-03

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 埃里克·A·G·韦伯斯特

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636

摘要： 本申请案涉及一种背侧照明式单光子雪崩二极管及一种包括其的成像传感器系统。一种单光子雪崩二极管SPAD包含安置于第一半导体层中的经n掺杂外延层。经p掺杂外延层在所述经n掺杂外延层上面在所述第一半导体层的背侧上。倍增结界定于所述经n掺杂外延层与所述经p掺杂外延层之间的界面处。倍增结经反向偏置到击穿电压以上以使得通过所述第一半导体层的所述背侧接收的光子在所述倍增结中触发雪崩倍增过程。经p‑掺杂护环区域植入于所述经n掺杂外延层中环绕所述倍增结。

公开(公告)号：CN104779259B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410437739.9

申请日：2014-08-29

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 埃里克·A·G·韦伯斯特

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L31/02027 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

摘要： 本申请涉及一种用于互补金属氧化物半导体堆叠式芯片应用的单光子雪崩二极管成像传感器。一种成像传感器系统包含包括形成于第一晶片的第一半导体层中的N个像素的单光子雪崩二极管SPAD成像阵列。每一像素的所述第一半导体层的实质上整个厚度为全耗尽的，以使得包含于每一像素中在前侧附近的倍增区域经配置为通过背侧且通过所述全耗尽第一半导体层的所述实质上整个厚度用光子来照明。深n型隔离区域安置于所述第一半导体层中在所述像素之间以将所述像素隔离。N个数字计数器形成于接合到所述第一晶片的第二晶片的第二半导体层中。所述N个数字计数器中的每一者耦合到所述SPAD成像阵列且经耦合以计数由所述像素中的相应一者产生的输出脉冲。