公开(公告)号：CN106019640A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610172326.1

申请日：2016-03-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  稻田充郎

IPC: G02F1/025

CPC classification number: H01L31/18 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02F1/025 ,  H01L31/02325

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及其制造方法，谋求半导体装置的高集成化，并实现半导体芯片的小型化。该半导体装置包括半导体基板(SUB)、在半导体基板(SUB)上形成的由氧化硅构成的绝缘层(CL)以及在绝缘层(CL)上形成的由硅构成的半导体层(SL)，通过半导体层(SL)而形成有光信号用传输线路部(A)的光波导(PO)以及光调制部(B)的光调制器(PC)。并且，绝缘层(CL)成为留下其一部分而具有空洞的中空构造，构成光波导(PO)以及光调制器(PC)的半导体层(SL)各自的两侧面以及下表面露出而被空气覆盖。