显示装置及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111162094B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN201911088602.6

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 公开了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置可以包括:基底;在基底上的第一层,所述第一层包括具有第一厚度的第一部分以及具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分;在所述第一层上的第二层;在所述第二层上的有源图案,所述有源图案仅与所述第一层的所述第一部分重叠;在所述有源图案上的栅电极;在所述栅电极上的且连接到所述有源图案的源电极和漏电极;连接到所述源电极和所述漏电极中的一个的第一电极;在所述第一电极上的像素限定层,所述像素限定层具有暴露所述第一电极的至少一部分的开口部分;在所述第一电极上的所述开口部分中的发光层;以及在所述发光层上的第二电极。

    激光结晶设备及其驱动方法

    公开(公告)号:CN107579021B9

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201710541686.9

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 提供了一种激光结晶设备及其驱动方法。所述激光结晶设备包括:激光产生模块,被构造成产生激光束;光学模块,被构造成引导激光束;退火室,包括其上设置有目标基底的台,所述目标基底包括形成在其中的非晶薄膜,台沿X轴方向和Y轴方向是可移动的;以及倾斜折射透镜,被构造成将具有矩形形状的横截面区的激光束转换成具有非矩形的平行四边形形状的横截面区的倾斜的激光束并且被构造成与台垂直地照射所述倾斜的激光束。

    晶体管基底和用于制造该晶体管基底的方法

    公开(公告)号:CN116031306A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202210873238.X

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 提供了一种晶体管基底和用于制造该晶体管基底的方法,所述晶体管基底包括:基底;半导体层,与基底叠置;以及栅电极,与半导体层叠置。半导体层包括沟道区、直接连接到沟道区的端部的导电区以及位于导电区的边缘处的边缘部分。边缘部分的碳浓度高于沟道区的碳浓度和导电区的碳浓度中的每者。

    显示装置和制造显示装置的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115955865A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211062918.X

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 本公开提供一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括:基底;半导体层,在所述基底上,并且包括至少一个晶体管的沟道;第一绝缘层,在所述半导体层上;以及栅极电极,在所述第一绝缘层上。所述半导体层包括多晶硅,并且所述沟道包括:第一区,包含第一杂质;和第二区,包含与所述第一杂质不同的第二杂质。

    显示装置
    5.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114068587A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110856432.2

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 显示装置可包括基板;在基板上的缓冲层;在缓冲层上的第一有源图案,第一有源图案具有第一厚度;在缓冲层上的第二有源图案,第二有源图案与第一有源图案间隔开并且具有小于第一厚度的第二厚度;在第一有源图案和第二有源图案上的第一栅绝缘层;在第一栅绝缘层上的第一栅电极,第一栅电极与第一有源图案重叠;以及在第一栅绝缘层上的第二栅电极,第二栅电极与第二有源图案重叠。

    显示装置和用于制造该显示装置的方法

    公开(公告)号:CN117334698A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202310666489.5

    申请日:2023-06-06

    Inventor: 徐宗吾 李童敏

    Abstract: 提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。所述显示装置包括:基底,包括开口;缓冲层,设置在基底上;半导体,设置在缓冲层上;栅电极,在平面图中与半导体的至少一部分叠置;源电极和漏电极,电连接到半导体;以及发光器件,电连接到漏电极。基底的开口在平面图中与半导体的另一部分叠置。

    薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法和显示装置

    公开(公告)号:CN115996602A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211263207.9

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法和显示装置被提供。该薄膜晶体管基板包括:基板;缓冲层,在基板上;半导体层,布置在缓冲层上,并且包括第一导电区、第二导电区和在第一导电区和第二导电区之间的沟道区;第一掺杂剂,以第一浓度被掺杂在沟道区的上部中;第二掺杂剂,以第二浓度被掺杂在沟道区的下部中,并且第二掺杂剂具有与第一掺杂剂的类型不同的类型;栅极绝缘层,覆盖半导体层;以及栅电极,在平面图中与沟道区重叠,并且设置在栅极绝缘层上。

    激光退火装置和使用其的薄膜结晶化方法

    公开(公告)号:CN112397378A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202010823805.1

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 提供了激光退火装置和使用激光退火装置的薄膜结晶化方法。激光退火装置包括工作台、激光产生器和反射构件。工作台对形成有待处理的薄膜的衬底进行支承,并且以设定或预定的速度在第一方向上移动。激光产生器在工作台移动的期间用激光束照射薄膜的第一区域。反射构件将从薄膜的第一区域被反射的激光束的一部分反射到薄膜的第二区域。第一区域和第二区域彼此间隔开。

Patent Agency Ranking