公开(公告)号：CN101849447B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880114840.3

申请日：2008-11-04

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 中原阳一郎 ,  池川直人 ,  上村恭平 ,  内野野良幸

IPC分类号： H05K3/24 ,  H05K3/08 ,  H05K3/18

CPC分类号： H05K3/027 ,  H05K3/108 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/09363 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/107

摘要： 本发明提供一种电路基板及其制造方法。电路基板具备绝缘性基板(1)和形成在该绝缘性基板(1)上的电路(3)，该电路具有镀敷基底层(4)、镀铜层(5)、镀镍层(6)及镀金层(7)，所述镀敷基底层(4)是通过沿电路(3)的轮廓对覆盖在该绝缘性基板(1)表面上的金属薄膜(2)照射激光(L)而按电路(3)的轮廓局部除去金属薄膜(2)，从而形成电路图案而成的，所述镀铜层(5)、镀镍层(6)及镀金层(7)是在镀敷基底层(4)表面上从镀敷基底层侧开始依次利用金属镀敷而形成的。在镀镍层(6)与镀金层(7)之间，具有标准电极电位比Au低的金属的第一中间镀敷层(8)与镀金层相接形成，具有标准电极电位比第一中间镀敷层的金属高的金属的第二中间镀敷层(9)与第一中间镀敷层相接(8)而形成。

公开(公告)号：CN102271858A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980153692.0

申请日：2009-05-14

申请人： 万佳雷射有限公司

发明人： P·T·路姆斯比

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40 ,  B23K26/08 ,  H05K3/08

CPC分类号： H05K3/0032 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H05K1/0373 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/09036

摘要： 一种利用激光直写气化工艺在聚合物层基底(36，46，51，65，73，83)的表面上开槽(74，85)的方法，聚合物被如此选择或通过添加有机或无机的材料被改性，从而使聚合物能强烈吸收525纳米至535纳米范围内的波长，该方法包括：提供波长在525纳米至535纳米范围内的激光束(32，42)，激光束具有衍射受限或基本衍射受限的光束质量并以连续、准连续或Q开关方式工作；使用光学系统(35，45，64，72，82)将激光束聚焦到基底表面上的焦点；使用扫描装置(44，63)相对基底上的一个区域移动焦点，从而基底表面的受到光束照射的地方被气化而形成深度小于聚合物层厚度的槽；控制扫描装置以改变焦点在基底上的位置，沿其长度具有笔直部分和弯曲部分的槽由此被写在基底表面上；调整到达基底表面的激光束的功率，从而写操作被启动和停止，由此形成具有期望长度的槽。

公开(公告)号：CN101467248A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021857.X

申请日：2007-06-13

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 津村哲也 ,  西山公治 ,  辻本悦夫

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K3/06 ,  H05K3/08

CPC分类号： H05K3/202 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/056 ,  H05K3/027 ,  H05K3/06 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09118 ,  H05K2201/098 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种散热布线板，其具备：形成有电路图案的金属布线板；以使该金属布线板的上表面露出的方式嵌入有该金属布线板的含填料的树脂层；以及，配置在该含填料的树脂层的下表面的散热板，且，电路图案由设在金属布线板上的通槽形成，该通槽由开口于金属布线板的上表面的微细槽，以及从该微细槽下端部向金属布线板的下表面变宽的扩槽构成。散热布线板，能够提高因通槽间隙中灰尘等导致的对于电绝缘的可靠性。

公开(公告)号：CN100355587C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200380106390.0

申请日：2003-11-20

申请人： 雷恩哈德库兹两合公司

发明人： 路德维格·布莱姆 ,  海因里奇·维尔德 ,  马蒂亚斯·塔特

IPC分类号： B41M3/00 ,  B41M3/14 ,  B41M5/24 ,  G03F1/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  H05K3/06 ,  H05K3/08 ,  H05K3/12

CPC分类号： B32B38/10 ,  B32B2038/0092 ,  B32B2310/0843 ,  B41M3/00 ,  B41M3/14 ,  B41M5/24 ,  B41M5/245 ,  B44C1/14 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0079 ,  H05K3/027 ,  H05K3/048 ,  H05K3/061 ,  H05K3/067 ,  H05K3/08 ,  H05K3/20 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/1545

摘要： 本发明涉及一种用于制造局部金属化薄膜元件的方法和装置，还涉及由所述方法制造的局部金属化薄膜元件。根据的本发明包括：生成一个数字化记录(332)，该数字化记录定义了一个根据所述数字化记录计算出的局部金属化的图形形状，设定了工具(38)的移动以及用于控制所述工具(38)的控制数据，在工具移动路径上使工具(38)以及一个单层或多层的薄膜体(30)相对于彼此移动，并且借助于工具(38)对金属层(31)进行局部脱金属化处理，尤其是通过使用蚀刻树脂的蚀刻剂(52)并对金属层(31)进行腐蚀来进行脱金属化处理，所述脱金属化处理由控制数据来控制。

公开(公告)号：CN114096368A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080050119.3

申请日：2020-05-27

申请人： 株式会社V技术

发明人： 水村通伸

IPC分类号： B23K26/00 ,  H05K3/00 ,  H05K3/08 ,  B23K26/03 ,  G01N21/956

摘要： 本发明提供一种激光修复方法、激光修复装置。即使存在基底层不同或膜厚偏差的情况下，也能够进行高质量的修复。激光修复方法对多层膜基板的缺陷部设定激光照射范围，在所设定的激光加工条件下对所述缺陷部照射激光束来进行修复加工时，确定激光束照射位置的周边区域，按每个共同的反射光信息将所确定的周边区域划分成多个区分区域，根据位于激光束照射位置周围的区分区域的配置图案，类推激光束照射位置的层结构，根据所类推的层结构，设定照射的激光束的激光加工条件。

公开(公告)号：CN108781505B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201780016621.0

申请日：2017-03-02

申请人： 东洋纺株式会社

发明人： 江口宪一 ,  坂本康博

IPC分类号： H05K1/09 ,  H01B1/22 ,  H05K3/08

摘要： 本发明提供一种即使是激光蚀刻宽度狭、激光蚀刻距离长这样的复杂图案也可抑制断线、短路的发生的激光蚀刻加工适用性优异的导电性覆膜。本发明通过使用至少含有高分子粘合剂树脂、平均粒径为0.3μm以上、6μm以下的金属粉、有机溶剂以及优选平均粒径为5nm以上、200nm以下的氧化硅或碳颗粒、直径为50nm以上、3000nm以下的无机离子捕捉剂颗粒的导电性浆料，来降低覆膜表面的环状凹陷缺陷，据此通过激光蚀刻可形成L/S＝50/50μm以下的微细线。

公开(公告)号：CN101432094B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200780015053.9

申请日：2007-04-18

申请人： 日立造船株式会社

发明人： 福田直晃 ,  国盐和良 ,  中山茂昭

IPC分类号： B23K26/06 ,  B23K26/08 ,  H05K3/00 ,  H05K3/08 ,  B23K101/42

CPC分类号： B23K26/0604 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0676 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/00 ,  B23K2103/56 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/027 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/108

摘要： 本发明提供即使强度和波长不同的激光束以多个级辐射也能在电子电路板的图案形成时高效加工的方法和装置。激光加工装置具有：第一和第二激光振荡器(2a、2b)，发射波长或者强度至少一个互不相同的激光束(3a、3b)；工作台(5)，移动要加工的工件(1)；光学系统(4a、4b)，引导激光束(3a、3b)至工件(1)上的预定位置。光学系统(4a、4b)，可以由调整设备(6)根据激光束(3a、3b)和工件(1)的相对移动方向而移动，允许激光束(3a、3b)辐射至工件(1)的预定位置，使得工件(1)可以被激光束(3a、3b)加工。这样，可以不限制激光束和工件的相对移动方向且没有非必要的移动地高效进行激光加工。

公开(公告)号：CN101347054B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680048552.3

申请日：2006-12-18

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 佐藤了平 ,  中川浩司 ,  臼井玲大 ,  田中健治 ,  高木悟 ,  江畑研一 ,  青木由美子

IPC分类号： H05K3/08 ,  H01J9/02 ,  H01J11/02 ,  H05K3/28

CPC分类号： H05K3/28 ,  H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/34 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/027 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0269 ,  Y10T428/24868

摘要： 本发明提供了一种用于产生具有电路图案(26)的玻璃基底(10)的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层(12)，然后使用激光(22)照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃(28)；以及，烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层(32)并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层(34)，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的所述低熔点玻璃。

公开(公告)号：CN101347054A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048552.3

申请日：2006-12-18

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 佐藤了平 ,  中川浩司 ,  臼井玲大 ,  田中健治 ,  高木悟 ,  江畑研一 ,  青木由美子

IPC分类号： H05K3/08 ,  H01J9/02 ,  H01J11/02 ,  H05K3/28

CPC分类号： H05K3/28 ,  H01J9/02 ,  H01J11/12 ,  H01J11/34 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/027 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0269 ,  Y10T428/24868

摘要： 本发明提供了一种用于产生具有电路图案(26)的玻璃基底(10)的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层(12)，然后使用激光(22)照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃(28)；以及，烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层(32)并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层(34)，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的所述低熔点玻璃。

公开(公告)号：CN1927521A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610132233.2

申请日：2006-09-08

申请人： 索尼株式会社

发明人： 村濑英寿 ,  佐佐木良成 ,  阿苏幸成 ,  山田尚树

IPC分类号： B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  H05K3/08 ,  G02F1/1343

CPC分类号： B23K26/142 ,  B23K2103/30 ,  B23K2103/50 ,  G02F1/13439

摘要： 本发明提供一种激光处理设备。该激光处理设备去除和排出碎片，该碎片是在图案化处理期间利用激光照射形成在基底上的透明树脂层而产生的，包括设置在基底上方的碎片排出模块，其中碎片排出模块抽吸和排出碎片，该碎片是由于升华、热处理和合成作用从基底上的透明树脂层产生的，该树脂层利用激光从基底下方进行照射。