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公开(公告)号：CN101467268B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780021454.5
申请日：2007-06-05
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括具有发光层的半导体结构，发光层设置在n-型区和p-型区之间。在发光层和一个接触之间设置多孔区，接触电连接到n-型区和p-型区之一上。多孔区散射光，使之离开吸收接触，从而可以改善光从器件的提取。在某些实施例中，多孔区是一种n-型半导体材料，如GaN或GaP。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100595935C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200680033659.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01S5/0424
Abstract: 一种半导体发光器件，包括有源区、n型区和p型区，p型区包括延伸到有源区中的部分。有源区可以包括由阻挡层隔开的多个量子阱，并且p型延伸部分穿透至少一个量子阱层。延伸到有源区中的p型区的延伸部分可以通过提供到各个量子阱中的直接电流路径来提供有源区的各个量子阱中的载流子的均匀填充。该均匀填充可以通过减少与体p型区最接近的量子阱中的载流子密度而改善高电流密度下的操作效率，由此减少无辐射复合损失的载流子数目。
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公开(公告)号：CN101675534B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780047797.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 根据本发明的实施例，一种III族氮化物结构包括多个半导体材料的柱形物，所述柱形物对应于掩模层(24)中的开口。每个柱形物包括发光层(28)。每个发光层被布置在n型区(26)和p型区(30)之间。位于第一柱形物中的第一发光层(28)被配置为与位于第二柱形物中的第二发光层(28)相比发射不同波长的光。在一些实施例中，通过控制柱形物的直径来控制每个发光层(28)发射的波长，从而可以形成没有荧光转换的发射白光的器件。
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公开(公告)号：CN101467268A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021454.5
申请日：2007-06-05
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括具有发光层的半导体结构，发光层设置在n－型区和p－型区之间。在发光层和一个接触之间设置多孔区，接触电连接到n－型区和p－型区之一上。多孔区散射光，使之离开吸收接触，从而可以改善光从器件的提取。在某些实施例中，多孔区是一种n－型半导体材料，如GaN或GaP。
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公开(公告)号：CN101263615A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033659.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01S5/0424
Abstract: 一种半导体发光器件，包括有源区、n型区和p型区，p型区包括延伸到有源区中的部分。有源区可以包括由阻挡层隔开的多个量子阱，并且p型延伸部分穿透至少一个量子阱层。延伸到有源区中的p型区的延伸部分可以通过提供到各个量子阱中的直接电流路径来提供有源区的各个量子阱中的载流子的均匀填充。该均匀填充可以通过减少与体p型区最接近的量子阱中的载流子密度而改善高电流密度下的操作效率，由此减少无辐射复合损失的载流子数目。
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公开(公告)号：CN101675534A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200780047797.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 根据本发明的实施例，一种III族氮化物结构包括多个半导体材料的柱形物，所述柱形物对应于掩模层(24)中的开口。每个柱形物包括发光层(28)。每个发光层被布置在n型区(26)和p型区(30)之间。位于第一柱形物中的第一发光层(28)被配置为与位于第二柱形物中的第二发光层(28)相比发射不同波长的光。在一些实施例中，通过控制柱形物的直径来控制每个发光层(28)发射的波长，从而可以形成没有荧光转换的发射白光的器件。
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