公开(公告)号：CN110707194A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910597139.1

申请日：2019-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  山下贤哉 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素)构成的RAMO4层；以及层叠于所述RAMO4层的层叠体。所述层叠体至少包括包含III族氮化物半导体的发光层，所述RAMO4层中，相较于与所述层叠体之间的边界面，所述层叠体的相反侧的面的平坦度更低。

公开(公告)号：CN107403859A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710055495.1

申请日：2017-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/22 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00 ,  H01L21/02414

Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。

公开(公告)号：CN101741010A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910204220.5

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 薮下智仁 ,  川口靖利 ,  上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明在GaN基板上形成平坦性及结晶性优越的III族氮化物系半导体层，得到接近高斯形状的垂直FFP形状。氮化物半导体激光装置具有层叠结构体(120)，该层叠结构体(120)包括：包括n型GaN的基板(101)；在基板(101)的主面上与该主面相接而形成的包括AlxGa1-xN(其中，x为0＜x＜1)的n型包覆层(102)；在该n型包覆层(102)上形成的MQW活性层(104)；在该MQW活性层(104)上形成的p型包覆层(107)。基板(101)的主面相对于面方位的(0001)面以0.35°以上且0.7°以下的范围倾斜。另外，构成n型包覆层(102)的AlxGa1-xN中的Al组成x为0.025以上且0.04以下。

公开(公告)号：CN100423297C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410002946.8

申请日：2004-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峰本尚 ,  木户口勲 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。

公开(公告)号：CN100349341C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN1533002A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410032116.X

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN1316123A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810355.1

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先,将衬底温度升高到1020℃,在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着,停止Ⅲ族原料气体供给,将衬底温度降低到780℃,与此同时将运载气体由氢气更换为氮气,然后选择性导入Ⅴ族源NH3、Ⅲ族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN107403859B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201710055495.1

申请日：2017-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/22 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00

Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。

公开(公告)号：CN101496236A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028446.3

申请日：2007-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安杖尚美 ,  菅原岳 ,  长谷川義晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。

公开(公告)号：CN100477425C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680000267.4

申请日：2006-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n-GaN基板(1)；形成于n-GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。