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公开(公告)号：CN102859724A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020933.1
申请日：2011-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：准备衬底(10)的工序；在衬底上形成具有由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成并且表面是m面的p型AldGaeN层(p型半导体区域)(26)的氮化物系半导体层叠结构的工序；在p型AldGaeN层(26)的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层(28)并进行加热处理的工序；除去金属层(28)的工序；以及在p型的AldGaeN层(26)的表面上形成p型电极的工序，通过加热处理，p型的AldGaeN层(26)中的N浓度变成高于Ga浓度。
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公开(公告)号：CN102754226B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180008915.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。
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公开(公告)号：CN102203967A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201080002932.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。
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公开(公告)号：CN102754226A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008915.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。
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公开(公告)号：CN102203967B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080002932.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101496236A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028446.3
申请日：2007-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。
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公开(公告)号：CN103493225A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280012159.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 氮化物类半导体发光元件包括：具有生长面（12）为m面的p型半导体区域（25）的氮化物类半导体层叠结构（20）；和设置于AldGaeN层（25）上的电极（30），其中AldGaeN层（25）由GaN类半导体形成，电极（30）以Ag为主成分且含有Mg和Zn的至少一者和Ge。
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公开(公告)号：CN103283043A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280002602.X
申请日：2012-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
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公开(公告)号：CN100454693C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580011771.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
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公开(公告)号：CN101124704A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005368.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0207 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。
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