公开(公告)号：CN101136535B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710141907.X

申请日：2007-08-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开一种使用氮化物半导体等六方晶体系的半导体材料且具有结构稳定的解理面的半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括衬底(11)及形成在该衬底上的半导体层层叠体(12)的一部分被切割而成的、具有与导波部(23a)相交叉方向上的两个芯片端面(13)和与该导波部平行方向上的两个芯片侧面(14)的芯片。在这两个芯片端面中的至少一个的解理面(13a)的两侧区域中芯片的一部分被切掉，分别形成有露出与该芯片端面接触的第一壁面(31a)及与该芯片侧面接触的第二壁面(31b)的缺口部(31)，这两个缺口部中的至少一个的上述第一壁面延伸的方向、与上述解理面延伸的方向所成的角度θ在10度以上且40度以下。

公开(公告)号：CN110050330A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201880004481.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  上田章雄 ,  大野启

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供一种高品质的III族氮化物半导体。该III族氮化物半导体具备：包含AlxGa1-xN(0≤x＜1)的n-GaN层；配置于所述n-GaN层上且包含InGaN的InGaN层；配置于所述InGaN层上且包含n型的AlyGa1-yN(0≤y＜1)的n-AlGaN层；以及配置于所述n-AlGaN层上的功能层，所述n-GaN层的Mg浓度比所述n-AlGaN层的Mg浓度大。

公开(公告)号：CN102365796A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080009947.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 萩野裕幸 ,  大野启 ,  山中一彦 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕

IPC: H01S5/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层(101)，其具有第一覆层(111)，活性层(113)以及第二覆层(116)；以及电流阻挡层(121)，其对活性层(113)选择性地注入电流。第二覆层(116)具有条纹状的山脊部(116a)。电流阻挡层(121)在山脊部(116a)的两侧区域分别形成，且由具有结晶构造的氧化锌构成。

公开(公告)号：CN101569068A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001018.6

申请日：2008-11-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  长谷川义晃 ,  杉浦胜己

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括半导体层叠层体(12)，该半导体层叠层体(12)具有沿与谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部(12a)。在半导体层叠层体(12)上形成有覆盖脊形波导部(12a)的两侧面中的至少一部分的介电体层(16)。在半导体层叠层体(12)上的脊形波导部(12a)的两侧，与脊形波导部(12a)及谐振器端面互相留有间隔地形成有吸光层(17)。

公开(公告)号：CN110707194A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910597139.1

申请日：2019-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  山下贤哉 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光二极管及其制造方法。该发光二极管是光提取效率提高了的III族氮化物半导体发光二极管，包括：主要由通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素)构成的RAMO4层；以及层叠于所述RAMO4层的层叠体。所述层叠体至少包括包含III族氮化物半导体的发光层，所述RAMO4层中，相较于与所述层叠体之间的边界面，所述层叠体的相反侧的面的平坦度更低。

公开(公告)号：CN103477513A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201380000426.0

申请日：2013-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L33/62 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：基板(10)；形成在基板上的第一包覆层(11)；形成在第一包覆层上的第一引导层(12)；形成在第一引导层上的活性层(13)；形成在活性层上的第二引导层(14)；形成在第二引导层上的接触层(16)；形成在接触层上的由导电性金属氧化物构成的包覆电极(22)；和与包覆电极电连接的焊盘电极(23)，该半导体发光元件具有包含接触层的台面型构造(20)。包覆电极的宽度比台面型构造的宽度大。包覆电极覆盖台面型构造的上表面以及侧面并且与接触层电连接。

公开(公告)号：CN103444021A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014025.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日井秀纪 ,  折田贤儿 ,  大野启 ,  山中一彦

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/323 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。

公开(公告)号：CN103477513B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380000426.0

申请日：2013-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01L33/62 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：基板(10)；形成在基板上的第一包覆层(11)；形成在第一包覆层上的第一引导层(12)；形成在第一引导层上的活性层(13)；形成在活性层上的第二引导层(14)；形成在第二引导层上的接触层(16)；形成在接触层上的由导电性金属氧化物构成的包覆电极(22)；和与包覆电极电连接的焊盘电极(23)，该半导体发光元件具有包含接触层的台面型构造(20)。包覆电极的宽度比台面型构造的宽度大。包覆电极覆盖台面型构造的上表面以及侧面并且与接触层电连接。

公开(公告)号：CN103053035A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201080068429.4

申请日：2010-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/0045

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括形成在基板(1)上且由包括发光层(4)的多个半导体层构成的层叠构造体。层叠构造体具有包括设置在该层叠构造体上部的脊构造的光波导(14)，光波导(14)被设置成从层叠构造体的前端面(12)延伸到后端面(13)，光波导(14)包括与层叠构造体的前端面(12)的法线倾斜着从该前端面(12)延伸的直线波导部(14a)和垂直地到达层叠构造体的后端面(13)的曲线波导部(14b)。曲线波导部(14b)形成在以该光波导(14)的中心为基准层叠构造体的后端面(13)一侧。

公开(公告)号：CN103503174A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021162.2

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  山中一彦 ,  折田贤儿 ,  能崎信一郎

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/0045 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及的超辐射发光二极管(100)，在衬底(10)上具备至少以下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)的顺序来包含这些层的层叠体，层叠体，具有折射率波导型的光波导(21)。光波导(21)包含：第一台面部(31)，通过加工上部覆盖层(16)而被形成为具有第一宽度；以及第二台面部(32)，通过加工下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)而被形成为具有作为比第一宽度大的宽度的第二宽度。