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公开(公告)号：CN103503174A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021162.2
申请日：2012-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/0045 , G02F1/133603 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及的超辐射发光二极管(100)，在衬底(10)上具备至少以下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)的顺序来包含这些层的层叠体，层叠体，具有折射率波导型的光波导(21)。光波导(21)包含：第一台面部(31)，通过加工上部覆盖层(16)而被形成为具有第一宽度；以及第二台面部(32)，通过加工下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)而被形成为具有作为比第一宽度大的宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN102484354A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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公开(公告)号：CN100435436C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510056521.X
申请日：2000-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B25/183 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341
Abstract: 一种半导体基板的制造方法，其特征在于包括准备晶体生长用基板的工序、在上述晶体生长用基板上沉积具有六方晶的结晶构造的第1半导体层的工序、通过对上述第1半导体层的一部分进行蚀刻使面方位为(1，-1，0，n)，这里n为整数，的面或与此等价的面外露的工序、在上述外露工序后在上述第1半导体层的表面上沉积具有六方晶的结晶构造的第2半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN102804416B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201080065555.4
申请日：2010-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN102484354B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534824A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201380001356.0
申请日：2013-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F21K9/56 , C09K11/08 , F21K9/64 , G03B21/14 , G03B21/204 , G03B33/06 , G03B33/12 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02296 , H05B33/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种波长变换元件，具有多个荧光体粒子和含有由位于所述多个荧光体粒子之间的氧化锌构成的基体的荧光体层，氧化锌是c轴取向的柱状结晶或单晶。
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公开(公告)号：CN103444021A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014025.6
申请日：2012-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/323 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。
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公开(公告)号：CN100426535C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410035309.0
申请日：2004-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供以高批量、低价格提供了一种使用氮化物系化合物半导体的高效率半导体发光元件。在p-GaN层4上形成二维周期凹凸结构，上述凹凸的周期为在由活性层(3)发射光的半导体中波长的1～20倍。结果，通过二元周期结构的凹凸而衍射的效果，改变由活性层(3)发射光的行进方向。在没有凹凸的情况下，满足在半导体元件和空气界面处的全反射条件的辐射角度光，不可能取出到半导体元件外，元件的发光效率低。另一方面，如本发明，以周期形成二维凹凸时，由于以不能形成全反射的角度来衍射光，所以能极大地提高向半导体元件外的取出效率，结果，可提高元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN1830087A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021678.2
申请日：2004-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件，其包括：二维地排列在半导体衬底上的多个光接收单元；向所述多个光接收单元透射选定波长的入射光的滤色单元；以及遮挡入射光的遮光单元，所述遮光单元具有多个孔，所述各孔与一个相应的光接收单元相对。这里，在从所述遮光单元到所述多个遮光单元的一条入射光路径上，所述滤色单元设置在所述遮光单元和所述多个光接收单元之间。
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公开(公告)号：CN1797774A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101190.2
申请日：2004-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像器件及其制造方法。具有使低折射率材料(1)和高折射率材料(2)交替层叠的折射率周期构造、以及在面内方向上为同心且相似的形状(圆或者多边形)的折射率周期构造的光子晶体，配置在各光电转换元件上而构成固体摄像元件(11a、11b和11c)。只用本光子晶体就能同时进行RGB的色分离和聚光。另外，本光子晶体，对于具有层叠方向的折射率周期构造的多层膜，能用通过光刻和刻蚀在面内方向上设置同心且相似形状的空洞的方法来制造，或者在面内方向上形成同心且相似形状的基底上，能用通过自己隆起设置面内方向和层叠方向的折射率周期构造的方法来制造。
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