公开(公告)号：CN100454597C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN100454699C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN1856915A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027878.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  岛本敏孝 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。

公开(公告)号：CN101741010A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910204220.5

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 薮下智仁 ,  川口靖利 ,  上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3213 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明在GaN基板上形成平坦性及结晶性优越的III族氮化物系半导体层，得到接近高斯形状的垂直FFP形状。氮化物半导体激光装置具有层叠结构体(120)，该层叠结构体(120)包括：包括n型GaN的基板(101)；在基板(101)的主面上与该主面相接而形成的包括AlxGa1-xN(其中，x为0＜x＜1)的n型包覆层(102)；在该n型包覆层(102)上形成的MQW活性层(104)；在该MQW活性层(104)上形成的p型包覆层(107)。基板(101)的主面相对于面方位的(0001)面以0.35°以上且0.7°以下的范围倾斜。另外，构成n型包覆层(102)的AlxGa1-xN中的Al组成x为0.025以上且0.04以下。

公开(公告)号：CN100349341C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200480007918.3

申请日：2004-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/227 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。

公开(公告)号：CN1961432A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580013357.2

申请日：2005-04-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  岛本敏孝 ,  长谷川义晃 ,  川口靖利 ,  木户口勋

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3216 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。

公开(公告)号：CN1922772A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005185.4

申请日：2005-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  川口靖利 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。

公开(公告)号：CN1515036A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大塚信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型ALGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。

公开(公告)号：CN100452583C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200480027878.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  岛本敏孝 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。

公开(公告)号：CN100362710C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200480002182.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  川口靖利 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  松原敦

IPC: H01S5/323

Abstract: 一种氮化物半导体元件，其特征在于，具有：在表面形成有由空隙构成的凹部(102b)和由III族氮化物构成的凸部(102a)的基板(101)、在基板(101)上形成的氮化物半导体层(106)和在氮化物半导体层(106)上形成的具有活性层的氮化物半导体层叠体，基板(101)的晶格常数与III族氮化物(102a)的晶格常数不同，基板(101)具有由电介质(104)构成的掩模(104a)，掩模(104a)仅在凸部(102a)的侧面形成，凸部(102a)的上面露出，并且在凹部(102b)露出基板(101)，掩模(104a)的高度L1在50nm以上5000nm以下，凹部(102b)的宽度L2在5000nm以上50000nm以下，凹部(102b)的高宽比L1/L2在0.001以上1.0以下。利用这样的结构，可以提高氮化物半导体元件的可靠性。