发明公开
CN1922772A 氮化合物系半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 氮化合物系半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Nitride compound semiconductor device and process for producing the same
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申请号： CN200580005185.4申请日： 2005-11-15
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公开(公告)号： CN1922772A公开(公告)日： 2007-02-28
- 发明人: 岛本敏孝 , 川口靖利 , 长谷川义晃 , 石桥明彦 , 木户口勋 , 横川俊哉
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 优先权： 337218/2004 2004.11.22 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/020927 2005.11.15
- 国际公布： WO2006/054543 JA 2006.05.26
- 进入国家日期： 2006-08-17
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; H01S5/22 ; H01L21/205
摘要：
本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
公开/授权文献
- CN100454699C 氮化合物系半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2009-01-21
