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公开(公告)号：CN1799171A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
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公开(公告)号：CN100370661C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200480015121.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 夏普株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01S5/2201 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。
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公开(公告)号：CN106062973B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201580012504.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022441 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。
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公开(公告)号：CN101615764B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910139684.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。
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公开(公告)号：CN101950920B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010294325.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101950921B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010294334.6
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN101794965B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010003506.X
申请日：2007-04-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/028 , H01S5/221 , H01S5/2231
Abstract: 本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。
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公开(公告)号：CN101340057B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810127288.3
申请日：2008-07-03
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件包括作为氮化物半导体衬底的n型GaN衬底(101)、形成在该n型GaN衬底(101)上的包括p型氮化物半导体层的氮化物半导体层。该p型氮化物半导体层包括p型AlGaInN接触层(108)、在该p型AlGaInN接触层(108)之下的p型AlGaInN包层(107)、以及p型AlGaInN层(106)。由硅氮化物膜制成的保护膜(113)形成在形成于p型氮化物半导体层中的电流注入区上。
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公开(公告)号：CN102005699A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010510283.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN101013794B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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