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公开(公告)号：CN104733599B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410795354.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 佐野雅彦
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，从下面侧向上面侧依次具有n型或p型的任一型的第一导电型半导体层、发光层及另一型的第二导电型半导体层，且从上面侧取出光。半导体发光元件具备第一电极、第一绝缘膜、透光性电极和第二电极。第一电极设于第一导电型半导体层上，且具有第一焊盘部和从第一焊盘部延伸的第一延伸部。第一绝缘膜覆盖第一延伸部。透光性电极与第二导电型半导体层的上面连接且在第一绝缘膜上延伸。第二电极在第一绝缘膜上与透光性电极连接，且具有第二焊盘部和从第二焊盘部沿第一延伸部延伸并以与第一延伸部重合的方式配置的第二延伸部。
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公开(公告)号：CN101383393B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810108148.1
申请日：2003-01-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2933/0016 , H01S2304/12 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。
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公开(公告)号：CN101237013A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810000273.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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公开(公告)号：CN1613156A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03801898.5
申请日：2003-01-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01L2933/0016 , H01S2304/12 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。
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公开(公告)号：CN107017241B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201611092940.3
申请日：2016-11-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/54
Abstract: 本发明的课题在于提供能够照射更高亮度的光的发光装置。发光装置(1)具有：一个以上的发光元件(10)，其将上表面作为光导出面(11)；透光性构件(2)，其以与所述发光元件的上表面接合的方式设置，且具有上表面(3)与下表面(7)，该透光性构件(2)使从所述发光元件出射的光从所述下表面入射并从所述上表面向外部放出；以及光反射性构件(20)，其以使所述透光性构件的上表面露出的方式覆盖所述透光性构件的表面、所述发光元件的侧面，所述透光性构件的上表面面积比一个以上的所述发光元件的上表面面积之和小，且该透光性构件的下表面面积比一个以上的所述发光元件的上表面面积之和大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733599A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410795354.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 佐野雅彦
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，从下面侧向上面侧依次具有n型或p型的任一型的第一导电型半导体层、发光层及另一型的第二导电型半导体层，且从上面侧取出光。半导体发光元件具备第一电极、第一绝缘膜、透光性电极和第二电极。第一电极设于第一导电型半导体层上，且具有第一焊盘部和从第一焊盘部延伸的第一延伸部。第一绝缘膜覆盖第一延伸部。透光性电极与第二导电型半导体层的上面连接且在第一绝缘膜上延伸。第二电极在第一绝缘膜上与透光性电极连接，且具有第二焊盘部和从第二焊盘部沿第一延伸部延伸并以与第一延伸部重合的方式配置的第二延伸部。
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公开(公告)号：CN101878540B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200880118173.6
申请日：2008-11-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/0568 , H01L2224/05684 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/013 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供可实现降低了颜色不匀的高亮度发光的发光装置及其制造方法。本发明的发光装置具有发光元件、被射入从该发光元件所射出的光的光透射构件、和被覆构件，其中，光透射构件是具备露出于外部的发光面、和从该发光面连续的侧面的无机材料的光变换构件。并且，被覆构件含有光反射性材料，至少被覆光透射构件的侧面。由此，实质上可只将发光面作为发光装置中的光的发出区域。即，可实现指向性及亮度优越的发出光，进而对发出光的光学控制变为容易，提高了将各发光装置作为单元光的2次利用性。
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公开(公告)号：CN1217425C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02803274.8
申请日：2002-07-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387
Abstract: 一种半导体元件，包括：基板；在基板上设置的n型导电性的GaN系半导体；在n型导电性的GaN系半导体上设置的p型导电性的GaN系半导体。并在具有n型导电性的GaN系半导体层表面以及具有p型导电性的GaN系半导体层表面上形成电极，其中，在具有p型导电性的GaN系半导体层表面，形成至少含有银的第1电极，和包围第1电极周围且不含银的第2电极。并且，第1电极在比第1电极外围内侧之处，具有使具有p型导电性的GaN系半导体层露出的开口部。从而可以实现光利用效率，并具有高可靠性的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1479948A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02803274.8
申请日：2002-07-12
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387
Abstract: 一种半导体元件，在基板上至少层叠具有n型导电性的GaN系半导体与具有p型导电性的GaN系半导体，并在具有n型导电性的GaN系半导体层表面以及具有p型导电性的GaN系半导体层表面上形成电极，其中，在具有p型导电性的GaN系半导体层表面，形成至少含有银的第1电极，和包围第1电极周围且不含银的第2电极。并且，第1电极在比第1电极外围内侧之处，具有使具有p型导电性的GaN系半导体层露出的开口部。从而可以实现光利用效率，并具有高可靠性的半导体元件。
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公开(公告)号：CN111599831B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202010103392.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种使用微型LED作为像素，制造成本低的显示装置以及其制造方法。显示装置(1)的制造方法，具备如下工序：准备基板(20)和发光元件(30)的工序，在所述基板设定了子像素(11)并按每个子像素(11)设置了第一布线(21)，在所述发光元件的下表面设置了第一电极(35)并在相互交叉的至少两个侧面设置了第二电极(33)；在基板(20)上搭载发光元件(30)，并将第一电极(35)与第一布线(21)电连接的工序；在基板(20)上形成覆盖发光元件(30)的树脂构件(23)的工序；通过除去树脂构件(23)的上部，使第二电极(33)的一部分从树脂构件(23)的上表面(23a)露出的工序；以及在树脂构件(23)上形成网格状的第二布线(24)以使一部分配置于发光元件(30)上，并将第二布线(24)与第二电极(33)电连接的工序。
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