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公开(公告)号：CN101587932A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910148877.4
申请日：2005-03-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件，其基板上包括n侧氮化物半导体层和p侧氮化物半导体层，p侧氮化物半导体层上形成有透光电极(10)，且形成有用于与外部电路连接的p侧焊盘电极(14)，n侧氮化物半导体层上形成有用于与外部电路连接的n侧焊盘电极(12)，并从p侧氮化物半导体层一侧观测发光，并在与上述基板的主面垂直的面内，将上述透光电极(10)及/或上述p侧氮化物半导体层的端面所具有的与上述基板的主面之间所形成的角度即锥角，根据其从上述基板的上面观测时的位置的不同而具有设定成不同的角度。
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公开(公告)号：CN1672271A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818534.2
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN102792466A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012963.8
申请日：2011-03-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/06 , H01L33/38 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件在半导体层上具有焊盘电极，且至少半导体层被保护膜覆盖。在焊盘电极的上面周边部具有至少一个与保护膜分离开的阻挡部件。阻挡部件呈半弧状并被配置为弦侧与焊盘电极的中央侧面对。由此，在测量半导体发光元件的电特性/光学特性之际，即便探针在焊盘电极上滑动，也可以利用半弧状的凹面来引导探针，利用阻挡部件可靠地进行堵截，可以回避探针抵达保护膜的事态。再有，优选在正负电极上分别设置焊盘电极，一对阻挡部件设置在互相接近的位置上。因此，可以改善半导体发光元件的外观成品率。
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公开(公告)号：CN102779918A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210243985.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/02 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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公开(公告)号：CN100595937C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710166947.X
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101237013A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810000273.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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公开(公告)号：CN101150165A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710166947.X
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN100358163C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN03818534.2
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN1703784A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380100896.0
申请日：2003-10-02
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种使发光更均匀而不使电流过度集中、并使光的取出效率进一步提高的寿命长的发光二极管，发光二极管从电极配置面侧来看，n侧电极包括应连接导电性部件的n侧连接部(9－1)和从n侧连接部的预定的一部分开始在长边方向延伸的n侧连接部(9－2)；并且，p侧焊盘部至少包括应连接导电性部件的p侧连接部(10b－1)；还包括在长边方向的一端附近配置了n侧连接部的n侧连接部区域、在长边方向的另一端附近配置了p侧连接部的p侧连接部区域、以及位于其间的中间区域；n侧延伸部位于中间区域内，在中间区域，n侧延伸部与p侧电流扩散部相对置地延伸。
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公开(公告)号：CN102792466B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180012963.8
申请日：2011-03-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L24/06 , H01L33/38 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件在半导体层上具有焊盘电极，且至少半导体层被保护膜覆盖。在焊盘电极的上面周边部具有至少一个与保护膜分离开的阻挡部件。阻挡部件呈半弧状并被配置为弦侧与焊盘电极的中央侧面对。由此，在测量半导体发光元件的电特性/光学特性之际，即便探针在焊盘电极上滑动，也可以利用半弧状的凹面来引导探针，利用阻挡部件可靠地进行堵截，可以回避探针抵达保护膜的事态。再有，优选在正负电极上分别设置焊盘电极，一对阻挡部件设置在互相接近的位置上。因此，可以改善半导体发光元件的外观成品率。
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