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公开(公告)号：CN113253379A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110163846.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供能够减少发光区域内的亮度不均匀的发光模块以及面状光源。发光模块(100)具备导光部件(20)和光源(30)。导光部件(20)具有划分发光区域(R)的划分槽(21)、设于发光区域(R)内的光源配置部(22)、以及俯视时设于划分槽(21)与光源配置部(22)之间的光调整孔(23)，光源(30)配置于光源配置部(22)内。在俯视时，光调整孔(23)未配置于第一直线(L1)上。光调整孔(23)具有位于光源(30)侧的第一侧面(23a)和位于第一侧面(23a)的相反侧的第二侧面(23b)。第一侧面(23a)具有第一区域(23c)。第一区域(23c)的法线(N1)相对于第二直线(L2)倾斜。
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公开(公告)号：CN113204069A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110135758.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 榎村惠滋
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种抑制发光区域的亮度不均的面状光源。面状光源(100)具备：光源(130)；导光部件(120)，其具有在内部配置光源的光源配置部(121)和包括包围光源配置部的槽(122)的划分规定部(123)；光反射性的划分部件(140)，其配置于划分规定部；在俯视时，划分规定部中的离光源C的中心最远的第一部分(124)的透过率比划分规定部中的离光源的中心最近的第二部分(125)的透过率高。
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公开(公告)号：CN101237013B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810000273.0
申请日：2008-01-30
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
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公开(公告)号：CN110165033B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910116248.7
申请日：2019-02-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明提供可提高可靠性的发光元件。发光元件具备：半导体结构(112A)，包括具有第一区域(R1)及第二区域(R2)的第一半导体层(120n)、及位于第二区域上方的第二半导体层(120p)，第一区域包括分别从外周部(Pp)向第二区域延伸的延伸部(Ep)；第一绝缘层(140)，具有位于各延伸部的第一贯通孔(141)及位于第二区域的第二贯通孔(142)；第二绝缘层(160)，具有第三贯通孔(163)及第四贯通孔(164)；第一外部电极(170An)，经由第一贯通孔及第三贯通孔与第一半导体层连接；第二外部电极(170Ap)，经由第二贯通孔及第四贯通孔与第二半导体层连接，各延伸部配置于第一半导体层的上表面中除了与第一外部电极的角部重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极的角部重叠的位置以外的部位。
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公开(公告)号：CN109326693B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811093512.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明的发光元件在第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别具有第一电极及第二电极，第一电极及第二电极配置于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层的同一面侧，其中，第一电极及第二电极分别具有作为导线接合区域的第一连接部及第二连接部，第一电极具有从第一连接部向第二连接部直线状地延伸的第一延伸部、和夹着第一延伸部且相对于第一延伸部平行地延伸的两个第二延伸部，第二电极具有两个第三延伸部，其分别位于第一延伸部与两个第二延伸部之间分别，并相对于第一延伸部平行地延伸，第二延伸部在远离第一连接部的方向上且延伸至比第二连接部更远的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026185B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201611198485.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率的发光元件。发光元件(1)具备：基板(11)；发光单元(101)等，它们设置于基板的上表面侧；光反射性电极(13)，其设置于发光单元等的上表面；第一绝缘层，其连续地将发光单元等的侧面及该侧面之间、和光反射性电极的侧面及上表面的一部分覆盖；配线电极等，其将发光单元等串联连接，并隔着第一绝缘层而将发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层等，它们隔着第一绝缘层将相邻的两个发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖，并与发光单元等未导通。光反射性金属层等的一部分隔着第一绝缘层将在发光单元等的上表面设置的光反射性电极的上表面的一部分覆盖。
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公开(公告)号：CN113253513A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110162772.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明提供能够减少发光区域内的亮度不均匀的发光模块以及面状光源。发光模块(100)具备导光部件(20)和光源(30)。导光部件(20)具有划分发光区域(R)的划分槽(21)、设于发光区域(R)内的光源配置部(22)、以及俯视时设于划分槽(21)与光源配置部(22)之间的光调整孔(23)。光调整孔(23的内部的折射率比导光部件(20的折射率低。在俯视时，光调整孔(23)位于与第一直线(L1)交差的位置，第一直线(L1)将划分槽(21)中的距光源(30)的中心(30c)最远的部分(21b)与光源(30)的中心(30c)连结起来。在第一方向(V)上，第一直线(L1)上的光调整孔(23)的宽度(W1)比从第一直线(L1)离开的位置(P1)的光调整孔(23)的宽度(W2)小。
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公开(公告)号：CN113204069B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110135758.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 榎村惠滋
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种抑制发光区域的亮度不均的面状光源。面状光源(100)具备：光源(130)；导光部件(120)，其具有在内部配置光源的光源配置部(121)和包括包围光源配置部的槽(122)的划分规定部(123)；光反射性的划分部件(140)，其配置于划分规定部；在俯视时，划分规定部中的离光源C的中心最远的第一部分(124)的透过率比划分规定部中的离光源的中心最近的第二部分(125)的透过率高。
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公开(公告)号：CN109326693A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811093512.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明的发光元件在第一导电型半导体层及第二导电型半导体层上分别具有第一电极及第二电极，第一电极及第二电极配置于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层的同一面侧，其中，第一电极及第二电极分别具有作为导线接合区域的第一连接部及第二连接部，第一电极具有从第一连接部向第二连接部直线状地延伸的第一延伸部、和夹着第一延伸部且相对于第一延伸部平行地延伸的两个第二延伸部，第二电极具有两个第三延伸部，其分别位于第一延伸部与两个第二延伸部之间分别，并相对于第一延伸部平行地延伸，第二延伸部在远离第一连接部的方向上且延伸至比第二连接部更远的位置。
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公开(公告)号：CN102315351B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110174875.X
申请日：2011-06-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，可以将在半导体元件安装时所使用的接合部件向密接层扩散减轻。本发明的半导体元件具备：半导体层；设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极；设于所述电极的第一上面且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧的密接层；从密接层的上面至半导体层为止被覆的绝缘层。
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