-
公开(公告)号：CN107026185A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611198485.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率的发光元件。发光元件(1)具备：基板(11)；发光单元(101)等，它们设置于基板的上表面侧；光反射性电极(13)，其设置于发光单元等的上表面；第一绝缘层，其连续地将发光单元等的侧面及该侧面之间、和光反射性电极的侧面及上表面的一部分覆盖；配线电极等，其将发光单元等串联连接，并隔着第一绝缘层而将发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层等，它们隔着第一绝缘层将相邻的两个发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖，并与发光单元等未导通。光反射性金属层等的一部分隔着第一绝缘层将在发光单元等的上表面设置的光反射性电极的上表面的一部分覆盖。
-
公开(公告)号：CN110176468B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910125595.6
申请日：2019-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件，包含：基板，具有第1面；第1半导体层叠体，包含第1发光层，设置在第1面的第1区域；和第2半导体层叠体，包含第2发光层，设置在第1面的第2区域。第1半导体层叠体包含：第1侧面；和第2侧面，位于第1半导体层叠体的第1侧面的相反侧。第2半导体层叠体包含：第1侧面，与第1半导体层叠体的第2侧面对置；和第2侧面，位于第2半导体层叠体的第1侧面的相反侧。第1半导体层叠体的第1侧面与第1区域之间的第1角度比第1半导体层叠体的第2侧面与第1区域之间的第2角度小。第2半导体层叠体的第2侧面与第2区域之间的第4角度比第2半导体层叠体的第1侧面与第2区域之间的第3角度小。
-
公开(公告)号：CN107026185B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201611198485.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率的发光元件。发光元件(1)具备：基板(11)；发光单元(101)等，它们设置于基板的上表面侧；光反射性电极(13)，其设置于发光单元等的上表面；第一绝缘层，其连续地将发光单元等的侧面及该侧面之间、和光反射性电极的侧面及上表面的一部分覆盖；配线电极等，其将发光单元等串联连接，并隔着第一绝缘层而将发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层等，它们隔着第一绝缘层将相邻的两个发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖，并与发光单元等未导通。光反射性金属层等的一部分隔着第一绝缘层将在发光单元等的上表面设置的光反射性电极的上表面的一部分覆盖。
-
公开(公告)号：CN110176468A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910125595.6
申请日：2019-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件，包含：基板，具有第1面；第1半导体层叠体，包含第1发光层，设置在第1面的第1区域；和第2半导体层叠体，包含第2发光层，设置在第1面的第2区域。第1半导体层叠体包含：第1侧面；和第2侧面，位于第1半导体层叠体的第1侧面的相反侧。第2半导体层叠体包含：第1侧面，与第1半导体层叠体的第2侧面对置；和第2侧面，位于第2半导体层叠体的第1侧面的相反侧。第1半导体层叠体的第1侧面与第1区域之间的第1角度比第1半导体层叠体的第2侧面与第1区域之间的第2角度小。第2半导体层叠体的第2侧面与第2区域之间的第4角度比第2半导体层叠体的第1侧面与第2区域之间的第3角度小。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
