公开(公告)号：CN102315351B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201110174875.X

申请日：2011-06-27

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 榎村惠滋 ,  井上史大

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，可以将在半导体元件安装时所使用的接合部件向密接层扩散减轻。本发明的半导体元件具备：半导体层；设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极；设于所述电极的第一上面且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧的密接层；从密接层的上面至半导体层为止被覆的绝缘层。

公开(公告)号：CN102315351A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110174875.X

申请日：2011-06-27

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 榎村惠滋 ,  井上史大

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，可以将在半导体元件安装时所使用的接合部件向密接层扩散减轻。本发明的半导体元件具备：半导体层；设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极；设于所述电极的第一上面且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧的密接层；从密接层的上面至半导体层为止被覆的绝缘层。