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公开(公告)号：CN101636849A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780047678.3
申请日：2007-12-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 在III族氮化物发光器件中，包括发光层的器件层(10)生长于模板之上，该模板设计成减小该器件中尤其是该发光层中的应变。该模板包括：直接生长于衬底(20)上的第一层(22)，该第一层基本上不含铟；生长于该第一层之上的第一基本单晶层(24)；生长于该第一基本单晶层之上的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层。器件层生长于该模板之上，该器件层包括置于n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。减小该发光器件中的应变可以改善该器件的性能。该模板可以在从常规生长模板可获得的晶格常数范围上扩展该发光层中的晶格常数。应变被如下定义：给定层具有体晶格常数a bulk 和面内晶格常数a in-plane ，其中体晶格常数a bulk 对应于与该给定层具有相同组分的自支撑材料的晶格常数，面内晶格常数a in-plane 对应于该结构中生长的该层的晶格常数。层中的应变量是|(a in-plane -a bulk )|/a bulk 。在某些实施例中，该发光层中的应变小于1％。
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公开(公告)号：CN101636850B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200780047788.X
申请日：2007-12-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层(22)，其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层(10)，该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|(ain-plane-abulk)|/abulk。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。
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公开(公告)号：CN101916802B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010249297.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
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公开(公告)号：CN101916802A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010249297.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
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公开(公告)号：CN101636850A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780047788.X
申请日：2007-12-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层(22)，其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层(10)，该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数a bulk 以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数a in-plane 。层中的应变量是|(a in-plane -a bulk )|/a bulk 。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101601140A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780047468.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 根据本发明的实施例，通过在III族氮化物器件中包括应变减轻层来降低该III族氮化物器件的发光层中的应变。在其上生长该应变减轻层的表面被配置为使得该应变减轻层可以横向膨胀并且至少部分地松弛。在本发明的一些实施例中，应变减轻层生长在纹理化半导体层或掩膜层上。在本发明的一些实施例中，应变减轻层是一组半导体材料的柱形物。
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公开(公告)号：CN101273472A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035850.9
申请日：2006-09-25
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
CPC classification number: H01L21/76256 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 提供了包含主体衬底和粘结在该主体衬底上的晶种层的衬底，然后在晶种层上生长包含布置在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构。在一些实施方案中，粘结层将主体衬底粘结到晶种层。该晶种层可以比半导体结构中发生松驰应变的临界厚度更薄，从而通过在晶种层中形成的位错或者通过在晶种层和粘结层之间的这两层之间界面处的滑移释放半导体结构中的应变。在一些实施方案中，通过蚀刻除去粘结层可以使主体衬底与半导体结构和晶种层分离。
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公开(公告)号：CN101273469B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680035651.8
申请日：2006-09-22
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
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公开(公告)号：CN101297410B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200680039790.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 将III-氮化物发光层设置在n型区域与p型区域之间。该发光层为掺杂的厚层。在一些实施例中，将该发光层夹在两个掺杂间隔层之间。
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公开(公告)号：CN101273469A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035651.8
申请日：2006-09-22
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III－氮化物发光层。所述III－氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
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