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公开(公告)号：CN101821862B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880100852.0
申请日：2008-07-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 半导体结构(402)与陶瓷层(408)组合，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层以及形成在该半导体结构内或者该半导体结构的表面上的光子晶体(404)，该陶瓷层布置在由发光层发射的光的路径内。该陶瓷层由诸如磷光体之类的波长转换材料组成或者包括诸如磷光体之类的波长转换材料。
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公开(公告)号：CN101601140B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780047468.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 根据本发明的实施例，通过在III族氮化物器件中包括应变减轻层来降低该III族氮化物器件的发光层中的应变。在其上生长该应变减轻层的表面被配置为使得该应变减轻层可以横向扩展并且至少部分地弛豫。在本发明的一些实施例中，应变减轻层生长在纹理化半导体层或掩膜层上。在本发明的一些实施例中，应变减轻层是一组半导体材料的柱形物。
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公开(公告)号：CN102210024A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144371.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯 , J·E·埃普勒 , D·A·斯泰格瓦尔德 , T·马加利思
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。
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公开(公告)号：CN102138228A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133572.4
申请日：2009-08-25
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/504 , G02F1/133603 , H01L33/46
Abstract: 半导体发光器件（34）包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层。发光层适合于发射具有第一峰值波长的第一种光。第一波长转换材料（38）适合于吸收第一种光并发射具有第二峰值波长的第二种光。第二波长转换材料（36）适合于吸收第一种光或者第二种光并发射具有第三峰值波长的第三种光。滤光器（40）适合于反射具有第四峰值波长的第四种光。第四种光或者为第二种光的一部分或者为第三种光的一部分。滤光器配置成透射峰值波长比该第四峰值波长更长或更短的光。滤光器布置在第一、第二和第三种光的至少一部分的路径中位于该发光器件之上。
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公开(公告)号：CN101366126A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200680044724.X
申请日：2006-11-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 一种包含定位于n类型区域和p类型区域的发光层的半导体结构被粘附到包含对器件提供机械支持的基质和含有发光材料的陶瓷层的复合衬底。在一些实施例中，该复合衬底包括一个晶体种子层，半导体结构在该层上生长。陶瓷层位于种子层和基质之间。在一些实施例中，在传统成长衬底上生长结构之后，复合衬底粘附到该半导体结构。在一些实施例中，复合衬底与半导体结构被间隔开，并且不提供对该结构的机械支撑。该陶瓷层的厚度低于500微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102210024B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980144371.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯 , J·E·埃普勒 , D·A·斯泰格瓦尔德 , T·马加利思
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。
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公开(公告)号：CN102138228B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980133572.4
申请日：2009-08-25
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/504 , G02F1/133603 , H01L33/46
Abstract: 半导体发光器件（34）包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层。发光层适合于发射具有第一峰值波长的第一种光。第一波长转换材料（38）适合于吸收第一种光并发射具有第二峰值波长的第二种光。第二波长转换材料（36）适合于吸收第一种光或者第二种光并发射具有第三峰值波长的第三种光。滤光器（40）适合于反射具有第四峰值波长的第四种光。第四种光或者为第二种光的一部分或者为第三种光的一部分。滤光器配置成透射峰值波长比该第四峰值波长更长或更短的光。滤光器布置在第一、第二和第三种光的至少一部分的路径中位于该发光器件之上。
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公开(公告)号：CN101897048A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120918.2
申请日：2008-12-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34，32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去，使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm，在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。
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公开(公告)号：CN101366126B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200680044724.X
申请日：2006-11-23
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
Abstract: 一种包含定位于n类型区域和p类型区域的发光层的半导体结构被粘附到包含对器件提供机械支持的基质和含有发光材料的陶瓷层的复合衬底。在一些实施例中，该复合衬底包括一个晶体种子层，半导体结构在该层上生长。陶瓷层位于种子层和基质之间。在一些实施例中，在传统成长衬底上生长结构之后，复合衬底粘附到该半导体结构。在一些实施例中，复合衬底与半导体结构被间隔开，并且不提供对该结构的机械支撑。该陶瓷层的厚度低于500微米。
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公开(公告)号：CN101897048B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880120918.2
申请日：2008-12-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34，32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去，使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm，在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。
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