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公开(公告)号：CN101897048B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880120918.2
申请日：2008-12-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34，32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去，使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm，在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。
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公开(公告)号：CN102106004B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN200980128853.0
申请日：2009-07-15
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域（44，49）和p型区域（46）之间的发光层（48）。该半导体结构布置在窗口层（40）和导光结构（44）之间。该导光结构配置成将光引导朝向窗口层；合适的导光结构的实例包含多孔半导体层和光子晶体。n接触（58，64）电学连接到n型区域且p接触（60，62）电学连接到p型区域。该p接触布置于在该半导体结构中形成的开口（54）中。
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公开(公告)号：CN102210024A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144371.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯 , J·E·埃普勒 , D·A·斯泰格瓦尔德 , T·马加利思
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。
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公开(公告)号：CN102210024B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980144371.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·R·克拉梅斯 , J·E·埃普勒 , D·A·斯泰格瓦尔德 , T·马加利思
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。
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公开(公告)号：CN102106004A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128853.0
申请日：2009-07-15
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域（44，49）和p型区域（46）之间的发光层（48）。该半导体结构布置在窗口层（40）和导光结构（44）之间。该导光结构配置成将光引导朝向窗口层；合适的导光结构的实例包含多孔半导体层和光子晶体。n接触（58，64）电学连接到n型区域且p接触（60，62）电学连接到p型区域。该p接触布置于在该半导体结构中形成的开口（54）中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101897048A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120918.2
申请日：2008-12-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司 , 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: AlGaInP发光器件被形成为薄的倒装芯片器件。该器件包含半导体结构，该半导体结构包含布置在n型区域(22)和p型区域(26)之间的AlGaInP发光层(24)。电连接到n和p型区域的n和p接触(34，32)均形成于半导体结构的同一侧上。半导体结构经由接触连接到载具(40)。生长衬底从半导体结构移除且厚透明衬底被略去，使得器件中半导体层的总厚度在一些实施例中小于15μm，在一些实施例中小于10μm。半导体结构的顶侧可被纹理化。
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公开(公告)号：CN101553936A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780020145.6
申请日：2007-05-30
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/22 , H01L33/58 , H01L2224/73253 , H01L2933/0041
Abstract: 通过在发光元件上沉积波长转换材料层形成发光器件，测试该器件以确定产生的波长谱并修正波长转换构件以产生所希望的波长谱。波长转换构件可以通过减少或增加波长转换材料的量来修正。在一个实施例中，例如通过激光烧蚀或蚀刻减小了在波长转换构件中的波长转换材料的量，以产生所希望的波长谱。
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公开(公告)号：CN101467269A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021525.1
申请日：2007-06-07
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 描述了一种薄外形的侧面发光的发光二极管(10)，在这里所有的光都是在大体上平行于发光有源层(14)表面的相对小的角度内有效地发射。发光二极管实现了用于背光照明液晶显示器的极薄背光源的产生。在一个实施例中，发光二极管是倒装芯片，n和p电极(18)在发光二极管的同一侧，并将发光二极管电极侧向下安装在次基台(22)上。在发光二极管的顶部表面上提供反射体(34)，使入射到反射体上的光朝向有源层(14)反射回来并最终通过发光二极管的侧表面发出。在半导体层(12、14、16)和反射体之间设置波导层(30)和/或一个或多个磷光体层，用于增加侧面发射面积，从而提高效率。可以得到厚度在0.2－0.4mm之间的侧面发光的发光二极管。
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公开(公告)号：CN101467268A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021454.5
申请日：2007-06-05
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括具有发光层的半导体结构，发光层设置在n－型区和p－型区之间。在发光层和一个接触之间设置多孔区，接触电连接到n－型区和p－型区之一上。多孔区散射光，使之离开吸收接触，从而可以改善光从器件的提取。在某些实施例中，多孔区是一种n－型半导体材料，如GaN或GaP。
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公开(公告)号：CN101916802B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010249297.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L21/2654 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III-氮化物发光层。所述III-氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
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