公开(公告)号：CN102210024A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144371.4

申请日：2009-10-29

Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·R·克拉梅斯 ,  J·E·埃普勒 ,  D·A·斯泰格瓦尔德 ,  T·马加利思

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。

公开(公告)号：CN102210024B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980144371.4

申请日：2009-10-29

Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 ,  皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·R·克拉梅斯 ,  J·E·埃普勒 ,  D·A·斯泰格瓦尔德 ,  T·马加利思

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长LED层（18-22）。通过开槽或者有掩模的离子注入而形成单独的倒装芯片LED。将含有多个LED的模块切割并安装在底座晶片（44）上。底座金属图案或形成于LED上的金属图案将LED串联连接在模块中。接着比如通过激光剥离移除生长衬底。在安装之前或之后形成半绝缘层，该半绝缘层将LED机械连接在一起。可以通过对位于衬底和LED层之间的层的离子注入而形成该半绝缘层。可以通过偏置半绝缘层进行对在衬底移除之后露出的半绝缘层的PEC蚀刻。接着切割底座以产生含有串联连接的LED的LED模块。