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公开(公告)号：CN1744398A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510093867.7
申请日：2005-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。
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公开(公告)号：CN102142659A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110035365.4
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光学拾取装置，半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN1591045A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068303.3
申请日：2004-08-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B5/1833 , G02B5/1852 , G02B5/1857 , G02B5/1871
Abstract: 本发明提供一种在宽波长区域中能得到良好相位变换特性的波长板。该波长板备有具有线状格子沟槽图案的氧化铝膜。而且，将格子沟槽图案的周期L和占空比De设定为由以下的4个式所规定的第一范围内的值：L≤0.65；L≥2×10－14e31.263De；L≤6.0317De2－10.352De+5.0516；(De－0.85)2/0.442+(L－0.41)2/0.392≤1。
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公开(公告)号：CN1176509A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN97118448.8
申请日：1997-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S3/22 , H01S5/168 , H01S5/2205 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34 , H01S5/3403 , H01S5/34326
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光元件,其特征在于,具备:n型敷层、形成于n型敷层上,包含一层或多层量子势阱层的量子势阱结构的活性层、由在活性层上形成的平坦部和该平坦部上的带状脊部构成的p型敷层、以及形成于所述平坦部上,覆盖脊部的侧面,同时形成于从一方的谐振器端面到规定距离上的位置的脊部上表面的区域上的电流阻挡层。
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公开(公告)号：CN1841869A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058488.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1139918C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN98104392.5
申请日：1998-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0912 , G11B7/123 , G11B7/131
Abstract: 透过型全息图元件具有由互相正交的假想分割线分割成等面积的4个区域的4分割全息图。4分割光检测部由大致平行于光盘半径方向的分割线与跟它正交的分割线分割成等面积的4个光检测部。4分割全息面一条对角线位置的2个区域所衍射的主光束在4分割光检测部的一条分割线上互相相对的邻接的位置上聚光成聚光点，另一条对角线位置的2个区域所衍射的主光束在4分割光检测部的另一条分割线上的互相相对的离开的位置上聚光成聚光点。
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公开(公告)号：CN1192024A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN98104392.5
申请日：1998-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0912 , G11B7/123 , G11B7/131
Abstract: 透过型全息图元件具有由互相正交的假想分割线分割成等面积的4个区域的4分割全息图。4分割光检测部由大致平行于光盘半径方向的分割线与跟它正交的分割线分割成等面积的4个光检测部。4分割全息面一条对角线位置的2个区域所衍射的主光束在4分割光检测部的一条分割线上互相相对的邻接的位置上聚光成聚光点,另一条对角线位置的2个区域所衍射的主光束在4分割光检测部的另一条分割线上的互相相对的离开的位置上聚光成聚光点。
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公开(公告)号：CN1838494B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610067416.0
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN100576665C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610058488.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。
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公开(公告)号：CN1841864A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
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