公开(公告)号：CN1159811C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN97118448.8

申请日：1997-09-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 庄野昌幸 ,  广山良治 ,  米田幸司 ,  西田丰三 ,  别所靖之

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/22 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光元件，其特征在于，具备：n型敷层、形成于n型敷层上，包含一层或多层量子势阱层的量子势阱结构的活性层、由在活性层上形成的平坦部和该平坦部上的带状脊部构成的p型敷层、以及形成于所述平坦部上，覆盖脊部的侧面，同时形成于从一方的谐振器端面到规定距离上的位置的脊部上表面的区域上的电流阻挡层。

公开(公告)号：CN1176509A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97118448.8

申请日：1997-09-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 庄野昌幸 ,  广山良治 ,  米田幸司 ,  西田丰三 ,  别所靖之

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/16 ,  B82Y20/00 ,  H01S3/22 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明涉及一种半导体激光元件,其特征在于,具备:n型敷层、形成于n型敷层上,包含一层或多层量子势阱层的量子势阱结构的活性层、由在活性层上形成的平坦部和该平坦部上的带状脊部构成的p型敷层、以及形成于所述平坦部上,覆盖脊部的侧面,同时形成于从一方的谐振器端面到规定距离上的位置的脊部上表面的区域上的电流阻挡层。