公开(公告)号：CN104364981B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380027395.8

申请日：2013-05-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡边博 ,  柳濑雅司

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。

公开(公告)号：CN105655871A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610163885.6

申请日：2016-03-22

Applicant: 重庆师范大学

Inventor： 张鹏 ,  蒋茂华 ,  朱仁江 ,  范嗣强 ,  张玉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/10 ,  H01S5/04

CPC classification number: H01S5/3432 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1039

Abstract: 本发明公开了一种多增益介质高功率半导体薄片激光器，包括泵浦源、增益介质镜、后端腔镜和输出耦合镜，所述泵浦源和增益介质镜分别为多个且一一对应并配合设置，各增益介质镜同时用于作为反射镜与后端腔镜和输出耦合镜配合形成一折叠式光学谐振腔；所述折叠式光学谐振腔中还设置有用于倍频的非线性晶体；通过将增益介质镜设置为多个，并分别独立设置多个泵浦源，能够有效保证成倍地扩大激光器的增益，增益倍数取决于增益介质镜的各数，并且大幅度降低整个激光器的热效应，避免高温对增益介质镜的影响，保证半导体薄片激光器的稳定性和寿命，同时成倍地提高激光器的输出功率，并且光束质量优良，结构简单紧凑。

公开(公告)号：CN105633796A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610163908.3

申请日：2016-03-22

Applicant: 重庆师范大学

Inventor： 张鹏 ,  蒋茂华 ,  朱仁江 ,  范嗣强 ,  张玉

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/10 ,  H01S5/04 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/3432 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/1039

Abstract: 本发明公开了一种小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，包括增益芯片、光学谐振腔镜组件和泵浦光源，所述光学谐振腔镜组件位于增益芯片前侧并与增益芯片组成V型谐振腔，所述泵浦光源从后侧对增益芯片进行泵浦并通过光学谐振腔镜组件产生锁模脉冲激光；通过将泵浦光源设置于增益芯片的后侧并从后侧进行光泵浦，可完全避免泵浦光源对谐振腔造成干涉，谐振腔的设计及搭建不再受到泵浦光的限制，谐振腔的腔长可以做得很短，锁模脉冲重复频率得到很大提高，同时激光器也变得更加紧凑而小型化，大大提高其应用范围和激光性能。

公开(公告)号：CN104364981A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380027395.8

申请日：2013-05-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岩田圭司 ,  松原一平 ,  粉奈孝行 ,  渡边博 ,  柳濑雅司

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423

Abstract: 本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。

公开(公告)号：CN104106185A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380007558.6

申请日：2013-02-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渡边博 ,  楯敦次 ,  粉奈孝行 ,  松原一平 ,  岩田圭司

IPC: H01S5/187

CPC classification number: H01S5/18377 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。

公开(公告)号：CN102122793A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110003470.X

申请日：2011-01-10

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 轴谷直人 ,  原坂和宏 ,  菅原悟 ,  佐藤俊一

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/42 ,  G02B26/10 ,  G03G15/00

CPC classification number: H01S5/18394 ,  B41J2/471 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/14 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。所述表面发射激光器元件包括发射激光束的发射区域和高反射率区域，该高反射率区域包括具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜，所述第一电介质膜和第二电介质膜叠置在所述发射区域内，以提供高反射率。在表面发射激光器元件中，所述高反射率区域形成在包括发射区域的中心部分的区域内，并且被构造成在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上具有形状各向异性。

公开(公告)号：CN101111385B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200680003458.6

申请日：2006-11-27

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 轴谷直人 ,  佐藤俊一

IPC: B41J2/44 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18 ,  B41J2/45 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18391 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/166

Abstract: 能够容易地提高单一基本横模的输出的面发光激光元件包括：反射层、谐振器隔离层、活性层、选择氧化层。所述选择氧化层被设置在与振荡光的电场的驻波分布的第4周期的节对应的反射层中的位置、和在与活性层侧相反方向上，与第4周期的节相邻接的与驻波分布的腹对应的反射层中的位置之间。

公开(公告)号：CN101383482A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810213793.X

申请日：2008-09-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎启介

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02268 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004

Abstract: 一种半导体激光装置，包括：基台，其具有彼此平行的前表面和后表面，并具有60％或更高的可见光透射率，所述后表面对应于相对面；连接电极，其形成于所述前表面上；以及半导体激光元件，其通过所述连接电极被封装在所述基台上，并且在平行于所述前表面的方向上发射激光束。

公开(公告)号：CN101237123A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710154074.0

申请日：2007-09-13

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 吉川昌宏 ,  山本将央 ,  近藤崇

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/30 ,  G11B7/125 ,  H04B10/00

CPC classification number: H01S5/18333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置。该垂直腔面发射激光二极管包括基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、第一半导体镜面层上的有源区、有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近有源区的电流限制层。台式晶体管结构形成为使电流限制层的至少一侧表面露出。电流限制层包括具有铝成分的第一半导体层和具有铝成分的第二半导体层，第二半导体层形成为比第一半导体层更靠近有源区。第一半导体层的铝浓度比第二半导体层的高。当激光的振荡波长为λ时，作为第一和第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4。从台式晶体管结构的所述侧表面选择地使第一和第二半导体层氧化。

公开(公告)号：CN101162752A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710126012.9

申请日：2007-06-29

Applicant: 菲尼萨公司

Inventor： 拉尔夫·H·约翰逊

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/12 ,  H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18358 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种诸如VCSEL、SEL、LED和HBT的半导体器件，制造该器件以具有接近窄能带隙材料的宽能带隙材料。通过位于宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的中间结构而改善电子注入。中间结构为变形区，诸如在宽能带隙材料和窄能带隙材料之间的成分变化中的平台。该中间结构被重掺杂并具有所需低电子亲和力的成分。注入结构可在具有高空穴亲和力的p掺杂中间结构的器件的p侧上使用。