本发明涉及垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置。该垂直腔面发射激光二极管包括基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、第一半导体镜面层上的有源区、有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近有源区的电流限制层。台式晶体管结构形成为使电流限制层的至少一侧表面露出。电流限制层包括具有铝成分的第一半导体层和具有铝成分的第二半导体层，第二半导体层形成为比第一半导体层更靠近有源区。第一半导体层的铝浓度比第二半导体层的高。当激光的振荡波长为λ时，作为第一和第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4。从台式晶体管结构的所述侧表面选择地使第一和第二半导体层氧化。