Invention Grant
- Patent Title: 垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件
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Application No.: CN201380027395.8Application Date: 2013-05-23
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Publication No.: CN104364981BPublication Date: 2017-06-20
- Inventor: 岩田圭司 , 松原一平 , 粉奈孝行 , 渡边博 , 柳濑雅司
- Applicant: 株式会社村田制作所
- Applicant Address: 日本京都府
- Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee: 株式会社村田制作所
- Current Assignee Address: 日本京都府
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 舒艳君; 李洋
- Priority: 2012-119459 20120525 JP
- International Application: PCT/JP2013/064302 2013.05.23
- International Announcement: WO2013/176202 JA 2013.11.28
- Date entered country: 2014-11-25
- Main IPC: H01S5/02
- IPC: H01S5/02 ; H01S5/183 ; H01S5/42

Abstract:
本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向,以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。
Public/Granted literature
- CN104364981A 垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件 Public/Granted day:2015-02-18
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