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公开(公告)号：CN105702216B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510897909.6
申请日：2015-12-08
申请人： 佳能株式会社
发明人： 仓富和之
CPC分类号： G03B21/206 , G03B21/2033 , G03B21/2053 , H01S5/0021 , H01S5/06804 , H01S5/06808 , H01S5/06825 , H01S5/0683 , H01S5/4018
摘要： 本发明涉及光源控制设备和图像投影设备。该光源控制设备对要在点亮多个光源(21～23)的状态下使用的光源单元(6)中所包括的所述多个光源的驱动进行控制。所述多个光源各自包括多个发光元件。所述光源控制设备包括：获取器(10)，用于获取与所述多个光源中的各光源的历时变化相关的历时信息；估计器(10)，用于通过使用所述历时信息来获取所述多个光源中的各光源的估计寿命；以及控制器(10)，用于在所述多个光源包括估计寿命比针对所述光源单元所设置的目标寿命短的第一光源的情况下，降低所述第一光源的发光量。
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公开(公告)号：CN105490161A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610019680.0
申请日：2012-07-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
摘要： 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN103608986B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280029817.0
申请日：2012-07-04
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01L24/32 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176
摘要： 本发明提供一种能够抑制向下连接接合时的倾斜，且散热性较高的隆脊型半导体激光元件，其具备：基板；设置于基板上且在基板的相反侧的面上具有隆脊的半导体部；设置于隆脊上的电极；设置于隆脊的两侧的半导体部上的绝缘膜；及设置于电极上的焊垫电极；且该半导体激光元件将焊垫电极侧作为安装面侧，该半导体激光元件在绝缘膜上延伸设置有焊垫电极，在半导体部与焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
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公开(公告)号：CN102403653A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110281381.1
申请日：2011-09-14
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：包含活性层且具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层、和射出侧谐振器面的表面上的端面覆盖膜。端面覆盖膜包含：控制射出侧谐振器面的反射率的第一电介质层和第二电介质层，在活性层发出的激光波长为λ、第二电介质层的折射率为n的情况下，第二电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且，大于第一电介质层的厚度，为1μm以上。
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公开(公告)号：CN102170090A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01S5/028
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN101132112B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710139808.8
申请日：2007-08-01
申请人： 日本光进株式会社
CPC分类号： H01S5/0021 , B82Y20/00 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/343
摘要： 在半导体激光器中有时会存在初期故障方式，这种初期故障方式几乎不依赖于温度，内部的光能量即从外部观测的光输出量越大，该故障进行越厉害。光输出量越大越进行的初期故障方式的筛选是不充分的，其初期故障率比具有以往的活性层材料的半导体激光器元件要高。在制造过程中，采用在室温等比平均工作温度低的温度下的大的光输出的试验是有效的。这样，排除了具有光输出量越大越进行的初期故障方式的元件，延长了预期寿命。
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公开(公告)号：CN101151776B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200680010188.1
申请日：2006-03-30
申请人： 奥普拓能量株式会社
发明人： 藤本毅
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/2237
摘要： 本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件，通过抑制 DLD生成，而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部，该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上，电流注入条设置为被该沟槽夹着。优选半导体激光器件的特征为，构成所述半导体激光器件的活性层的量子阱由GaAs形成。
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公开(公告)号：CN101765951A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
摘要： 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN100477421C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
摘要： 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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公开(公告)号：CN100409517C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200410088556.7
申请日：2004-11-05
申请人： 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
发明人： 威尔逊·H·威德贾贾 , 伯纳德·乌尔里克·克勒
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18338 , H01S5/0021 , H01S5/06825 , H01S5/18313 , H01S2301/176
摘要： 本发明描述了可筛选的垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制造方法。这些方法和系统解决了这些器件特别容易受到损伤的问题，否则浸入到用于形成折射率导向型限制区的刻蚀孔中的水分可能导致该损伤。一方面，VCSEL包括具有顶表面的垂直叠层结构。垂直叠层结构包括顶反射镜，底反射镜和腔区，该腔区布置在顶反射镜和底反射镜之间并包括活性光产生区。顶反射镜和底反射镜中的至少一个具有至少一个限定出孔隙区的层。垂直叠层结构限定出至少一个侧壁区域，所述侧壁区域从所述顶表面至少延伸到对应于所述孔隙区的深度。VCSEL还包括布置在侧壁区域处的筛选区的缺陷指示器系统。缺陷指示器系统包括具有化学可变的光学性能的指示器层和上覆于指示器层的阻挡层。
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