-
公开(公告)号：CN101765951A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
摘要： 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
-
公开(公告)号：CN102664348A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
摘要： 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
-
公开(公告)号：CN102664348B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
摘要： 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
-
公开(公告)号：CN101765951B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
摘要： 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.023 秒)
