-
公开(公告)号：CN110021878A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
-
公开(公告)号：CN107196188B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
-
公开(公告)号：CN100459196C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
-
公开(公告)号：CN1897374A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
-
公开(公告)号：CN109802300B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811344710.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够在高输出时改善光学特性的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有半导体层叠体、上部电极、以及下部电极。半导体层叠体具有：活性层，具有产生子带间跃迁的量子阱层，并且放出红外激光；第一半导体层，设于活性层之上，并且具有凹部构成矩形光栅的光子晶体层；以及设于活性层的下方的第二半导体层。下部电极设于第二半导体层的下表面中的与上部电极重叠的区域。在俯视时，半导体层叠体具有包含光子晶体层的面发光区域、以及设有上部电极并且将面发光区域包围的电流注入区域。活性层产生子带间跃迁，能够通过二维衍射光栅产生光谐振，并且向面发光区域的垂直方向放出红外激光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701964A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
-
公开(公告)号：CN107800040A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
-
公开(公告)号：CN101276870B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810082459.5
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。
-
公开(公告)号：CN101226978A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
-
公开(公告)号：CN107800040B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710777263.7
申请日：2017-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.032 seconds)
