公开(公告)号：CN105441072A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510589653.2

申请日：2015-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三石严 ,  加藤雅礼 ,  服部靖 ,  福田由美 ,  阿尔贝萨惠子

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方案是提供具有有利的温度特性的荧光体，所述荧光体可发射具有宽的半宽发射谱的黄光，并且具有高量子效率。当用在250nm到500nm的波长范围中具有发光峰的光激发时，所述荧光体发射黄光，并且具有与Sr2Al3Si7ON13的晶体结构基本上相同的晶体结构。在根据使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法的所述荧光体的X射线衍射中检测的在35.2°到35.6°的范围中的衍射峰位置2θ处的峰的半宽是0.10°或更小。

公开(公告)号：CN104164231A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410060021.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福田由美 ,  加藤雅礼 ,  服部靖 ,  冈田葵

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5296 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为磷光体。根据一实施方案，在用发射峰在250-500nm波长范围内的光激发时，磷光体显示发光峰波长为500-600nm。该磷光体具有如(M1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw所示的组成（M表示Sr，部分Sr可用选自Ba、Ca和Mg的至少之一取代；x、y、z、u和w满足下述条件0

公开(公告)号：CN104103743A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410076948.5

申请日：2014-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  加藤雅礼 ,  福田由美 ,  三石严

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种发光装置，其具备发出峰值波长为425nm～465nm的光的发光元件、发出峰值波长为485nm～530nm的光的第1荧光体、发出峰值波长比第1荧光体长的光的第2荧光体和发出比峰值波长第2荧光体长的光的第3荧光体。而且在将发光元件的峰值波长规定为λ0（nm）、将第1荧光体的峰值波长规定为λ1（nm）的情况下，满足30≤λ1－λ0≤70。

公开(公告)号：CN100461478C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610169471.0

申请日：2006-12-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山本雅裕 ,  服部靖 ,  信田直美 ,  金子桂 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。

公开(公告)号：CN101108966A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710137061.2

申请日：2007-07-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝照明技术株式会社

Inventor： 玉谷正昭 ,  植竹久代 ,  平松亮介 ,  大塚一昭 ,  服部靖 ,  信田直美

IPC: C09K11/79 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C01B33/24

Abstract: 本发明提供一种铕激活的原硅酸碱土类荧光体，其包含具有由下述通式(1)表示的组成的化合物，并且在用波长254nm的紫外光激发时，显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带。在式(1)中，x，y，z和w满足下述关系式(2)，(4)～(7)，而且在a为573、b为467、c为623、d为736时，为满足(3)式的值。(Srx，Bay，Caz，Euw)2SiO4(1)；x+y+z+w＝1 (2)；600≤ax+by+cz+dw (3)；0≤x/(1－w)≤0.95 (4)；0≤y/(1－w)≤0.4 (5)；0＜z/(1－w)≤0.95 (6)；0.02≤w≤0.2 (7)。

公开(公告)号：CN114467154B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202180005114.3

申请日：2021-02-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 萩原将也 ,  江口朋子 ,  阿尔贝萨惠子 ,  服部靖

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01F6/06 ,  H01R4/68

Abstract: 根据实施方式所述的超导层的连接结构具备：第一超导层；第二超导层；以及设置在第一超导层和第二超导层之间的连接层，所述连接层包含含有稀土元素(RE)、钡(Ba)、铜(Cu)和氧(O)的晶粒，所述晶粒具有包含双峰分布的粒径分布。

公开(公告)号：CN103311413B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310063120.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  冈田葵 ,  平松亮介 ,  石田邦夫 ,  加藤雅礼

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/79

CPC classification number: H05B33/12 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种兼顾高演色性、高发光效率的白色发光装置。实施方式的白色发光装置具备：发光元件，在大于等于430nm小于等于470nm的波长区域具有峰值波长；第1荧光体，发出大于等于525nm小于等于560nm的第1峰值波长的光；第2荧光体，发出比第1峰值波长长的第2峰值波长的光；第3荧光体，发出比第2峰值波长长的、大于等于620nm小于等于750nm的第3峰值波长的光。而后，第1荧光体和第2荧光体具有MSiαOβNγ的组成，在将第1峰值波长设成λ1（nm）、将第2峰值波长设为λ2（nm）的情况下，1100≤λ1+λ2，并且λ2-λ1≤60。

公开(公告)号：CN104893719A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510092361.8

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 阿尔贝萨惠子 ,  福田由美 ,  石田邦夫 ,  三石严 ,  冈田葵 ,  服部靖 ,  平松亮介 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开内容的实施方案提供了一种在峰波长范围是250nm到500nm的光激发下展现在565nm到600nm波长范围内的发射峰的磷光体。所述发射峰的半宽度是包括两端端值的115nm到180nm。这一磷光体具有Sr2Si7Al3ON13的晶体结构，且由铈活化。

公开(公告)号：CN104046352A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410088681.1

申请日：2014-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 惠子·阿尔贝萨 ,  福田由美 ,  石田邦夫 ,  三石岩 ,  松田直寿 ,  冈田葵 ,  服部靖 ,  平松亮介 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/64

CPC classification number: F21V9/30 ,  C09K11/7721 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方案提供了一种磷光体，及采用其的光发射器件。该磷光体具有如此高的发光效率以至于即使当用高功率工作时也能够实现较少经受色移的光发射器件。该磷光体是具有Sr2Si7Al3ON13的晶体结构的Ce活化的磷光体，并且在通过具有250-500nm峰值波长的光激励下发射具有500-600nm峰值波长的发光。根据Bragg-Brendano方法用Cu-Kα线辐射来测量的该磷光体的XRD曲线显示在I1/I0的比例为0.24或更小的条件下在31.55-31.85°和24.75-250.5°范围内的衍射角2θ处分别具有强度I0和I1的衍射线。

公开(公告)号：CN101378105B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810214664.2

申请日：2008-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三石严 ,  布上真也 ,  服部靖

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。