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公开(公告)号：CN103305215B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210336992.6
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/14 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供使用廉价的氧化物等作为含有锶等碱土类金属的原料、并发射峰值波长为630nm以上的红色光的铕激活氧氮化物荧光体及其制造方法。该氧氮化物荧光体的特征在于，具有下述通式（1）所示的组成，且通过2价铕被激活，式中，M表示碱土类金属；并且x、a、b、c、d和e满足：0
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公开(公告)号：CN100587986C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
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公开(公告)号：CN103113883B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210319801.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/12 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0
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公开(公告)号：CN103113883A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210319801.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05B33/12 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施方案，提供了一种发光材料，当用发射峰在250-520nm的波长范围内的光激发时，所述发光材料发出发光峰在550-590nm的波长范围内的光。所述发光材料具有下式1表示的组成：(Sr1-xEux)aSibAlOcNd 式1，其中x、a、b、c和d满足以下条件：0
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公开(公告)号：CN104893719A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510092361.8
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7721 , C09K11/0883 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开内容的实施方案提供了一种在峰波长范围是250nm到500nm的光激发下展现在565nm到600nm波长范围内的发射峰的磷光体。所述发射峰的半宽度是包括两端端值的115nm到180nm。这一磷光体具有Sr2Si7Al3ON13的晶体结构，且由铈活化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403429A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110051219.0
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及发光装置。实施方式的发光装置具备：发出波长380nm～470nm的光的发光元件；在该发光元件上配置的CASN系第一红色荧光体；在该发光元件上配置的塞隆系第二红色荧光体；和在该发光元件上配置的塞隆系绿色荧光体。
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公开(公告)号：CN101378105B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
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公开(公告)号：CN101378105A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
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公开(公告)号：CN105441072A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510589653.2
申请日：2015-09-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C09K11/7721 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方案是提供具有有利的温度特性的荧光体，所述荧光体可发射具有宽的半宽发射谱的黄光，并且具有高量子效率。当用在250nm到500nm的波长范围中具有发光峰的光激发时，所述荧光体发射黄光，并且具有与Sr2Al3Si7ON13的晶体结构基本上相同的晶体结构。在根据使用Cu-Kα线的Bragg-Brendano法的所述荧光体的X射线衍射中检测的在35.2°到35.6°的范围中的衍射峰位置2θ处的峰的半宽是0.10°或更小。
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公开(公告)号：CN104103743A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410076948.5
申请日：2014-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H05B33/14 , Y02B20/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种发光装置，其具备发出峰值波长为425nm～465nm的光的发光元件、发出峰值波长为485nm～530nm的光的第1荧光体、发出峰值波长比第1荧光体长的光的第2荧光体和发出比峰值波长第2荧光体长的光的第3荧光体。而且在将发光元件的峰值波长规定为λ0（nm）、将第1荧光体的峰值波长规定为λ1（nm）的情况下，满足30≤λ1－λ0≤70。
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