半导体发光元件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101232068A

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200810008868.0

    申请日:2008-01-25

    CPC classification number: H01L33/32 H01L33/02 H01L33/16

    Abstract: 一种半导体发光元件,包括:由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底,其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内,其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内;在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层;在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层;在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层;在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层;在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层;以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部,并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

    光学元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100474038C

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:CN200480027039.7

    申请日:2004-09-17

    CPC classification number: B82Y20/00 G02F1/01 G02F2203/10 G11B7/1387

    Abstract: 一种光学元件,在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样,由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元-电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射,高效率地增强了向第1表面入射,通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。

    光学元件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1853131A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200480027039.7

    申请日:2004-09-17

    CPC classification number: B82Y20/00 G02F1/01 G02F2203/10 G11B7/1387

    Abstract: 一种光学元件,在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样,由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元-电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射,高效率地增强了向第1表面入射,通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101276870B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200810082459.5

    申请日:2008-03-06

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件,能够降低串联电阻,可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件,包括:活性层(14),放射波长λ的光;第1导电型的第1半导体层(10、12),具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面,与第1主面对置的第2主面,及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面;第2导电型的第2半导体层(18),夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置;及第1电极(20),夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置;活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。

    半导体发光元件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101232068B

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN200810008868.0

    申请日:2008-01-25

    CPC classification number: H01L33/32 H01L33/02 H01L33/16

    Abstract: 一种半导体发光元件,包括:由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底,其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内,其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内;在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层;在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层;在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层;在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层;在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层;以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部,并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

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