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公开(公告)号：CN101232068A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008868.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN100474038C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200480027039.7
申请日：2004-09-17
IPC: G02F1/01
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/01 , G02F2203/10 , G11B7/1387
Abstract: 一种光学元件，在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样，由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元-电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射，高效率地增强了向第1表面入射，通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。
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公开(公告)号：CN100461478C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610169471.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01322 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。
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公开(公告)号：CN1853131A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480027039.7
申请日：2004-09-17
IPC: G02F1/01
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/01 , G02F2203/10 , G11B7/1387
Abstract: 一种光学元件，在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样，由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元－电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射，高效率地增强了向第1表面入射，通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。
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公开(公告)号：CN101276870B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810082459.5
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101226978A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
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公开(公告)号：CN1983655A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610169471.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01322 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。
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公开(公告)号：CN101232068B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200810008868.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101101951A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128603.X
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：半导体衬底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反侧的第二表面，该半导体衬底具有形成在第一表面中的凹进部分，并且该凹进部分具有V形横截面；形成在凹进部分的内表面上的反射层；形成在反射层上的第一电极；形成在第二表面上发光层，和形成在发光层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1885581A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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