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公开(公告)号：CN100474038C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200480027039.7
申请日：2004-09-17
IPC: G02F1/01
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/01 , G02F2203/10 , G11B7/1387
Abstract: 一种光学元件，在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样，由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元-电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射，高效率地增强了向第1表面入射，通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1853131A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480027039.7
申请日：2004-09-17
IPC: G02F1/01
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/01 , G02F2203/10 , G11B7/1387
Abstract: 一种光学元件，在具有第1和第2表面(20a)和(20b)、设置了从第1表面向第2表面连通的至少一个开口(30)的导电性薄膜(20)的第1和第2表面的至少一方上形成周期长不相同的第1和第2周期性表面形状(40a)和(40b)。第2周期性表面形状的周期长(P2)实质上等于第1周期性表面形状的周期长(P1)的1/2的奇数倍。这样，由所述第1周期性表面形状激励的表面等离激元－电磁耦子就受到所述第2周期性表面形状的奇数次布拉格反射，高效率地增强了向第1表面入射，通过开口而被传送到第2表面侧的光的强度。
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公开(公告)号：CN1088917C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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公开(公告)号：CN1096690C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及磁致电阻材料及其膜。该材料是非磁性基质和分散在非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁致电阻效应的退化，使用含有Pt和至少一种选自Cu、Ag、和Au中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。非磁性基质可任选地含有限量的选自Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir的辅助元素。磁致电阻材料膜可在基体上成膜，并可任选地在膜和基体间插入缓冲膜和/或用保护层覆盖该膜。
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公开(公告)号：CN1121250A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01F1/01
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及一种磁阻性材料，即具有磁阻性的导电材料，该材料是由非磁性基质和分散在所述非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁阻性效应的退化，使用至少两种选自Cu、Ag、Au和Pt中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。可选择地是，非磁性基质可含有限量的选自于Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir中的辅助元素。磁阻性材料膜可在基体上成膜，并可任选地在所述膜和基体间插入缓冲膜和或所述膜为保护层所覆盖。
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公开(公告)号：CN1161577A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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